[发明专利]一种离子注入设备及其离子注入方法

权利要求书

1.一种离子注入设备，其特征在于，包括：传送腔，与所述传送腔通过阀门连接的工艺腔，通过束流腔与所述工艺腔连接的分析磁场，以及与所述分析磁场连接的离子源；其中，

在所述工艺腔与所述分析磁场之间具有空置挡板，所述空置挡板用于在离子注入以外的时段，隔离所述工艺腔与所述分析磁场；

还包括：用于记录第一电流密度的第一法拉第杯和用于记录第二电流密度的第二法拉第杯；

所述第一法拉第杯位于所述空置挡板面向所述分析磁场的表面；

所述第二法拉第杯位于所述工艺腔面向所述分析磁场的表面；

还包括：预警设备，所述预警设备用于在第一电流密度与所述第二电流密度的差值大于设定值时报警提醒工程师进行开腔清洁。

2.如权利要求1所述的离子注入设备，其特征在于，所述空置挡板位于所述束流腔与所述分析磁场连接处的内壁和/或外壁。

3.如权利要求1所述的离子注入设备，其特征在于，所述空置挡板位于所述束流腔内的束流孔面向所述工艺腔的侧壁和/或所述束流腔内的束流孔面向所述分析磁场的侧壁。

4.如权利要求1所述的离子注入设备，其特征在于，所述空置挡板位于所述束流腔与所述工艺腔连接处的外壁和/或内壁。

5.如权利要求1-4任一项所述的离子注入设备，其特征在于，还包括：与所述工艺腔连接的第一分子泵，以及与所述第一分子泵连接的第一干泵。

6.如权利要求1-4任一项所述的离子注入设备，其特征在于，还包括：与所述传送腔连接的第二分子泵，以及与所述第二分子泵连接的第二干泵。

7.一种使用如权利要求1-6任一项所述的离子注入设备进行离子注入的方法，其特征在于，包括：

在离子注入时段，控制所述空置挡板处于打开状态，以导通所述工艺腔与所述分析磁场；

在离子注入以外的时段，控制所述空置挡板处于闭合状态，以隔离所述工艺腔与所述分析磁场；

还包括：

在所述空置挡板隔离所述工艺腔和所述分析磁场时，记录离子束打在第一法拉第杯上形成的第一电流密度；

在所述空置挡板导通所述工艺腔与所述分析磁场时，记录离子束打在第二法拉第杯上形成的第二电流密度；

根据所述第一电流密度和所述第二电流密度的差值与预设值的关系，监测所述工艺腔内悬浮剥落物含量；在确定所述第一电流密度和所述第二电流密度的差值大于预设值时，确定所述工艺腔内悬浮剥落物含量超标，并进行预警。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在离子注入以外的时段，控制所述空置挡板处于闭合状态，以隔离所述工艺腔与所述分析磁场，具体包括：

在打开所述传送腔与所述工艺腔之间的阀门进行进片之前，控制所述空置挡板处于闭合状态，以隔离所述工艺腔与所述分析磁场。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，在控制所述空置挡板处于开启状态之前，还包括：

增大所述传送腔与所述工艺腔之间的真空度差异。

10.如权利要求8所述的方法，其特征在于，在进片结束关闭所述传送腔与所述工艺腔之间的阀门之后，且控制所述空置挡板处于开启状态之前，还包括：

控制所述工艺腔的真空度不大于所述分析磁场的真空度。

11.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在离子注入以外的时段，控制所述空置挡板处于闭合状态，以隔离所述工艺腔与所述分析磁场，具体包括：

在打开所述工艺腔进行清洁之前，控制所述空置挡板处于闭合状态，以隔离所述工艺腔与所述分析磁场。