[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其特征在于，具备：

第1焊垫，被供给第1电压；

第2焊垫，被供给与所述第1电压不同的第2电压；及

电源保护电路；且

所述电源保护电路包含：

第1晶体管，包含电连接于所述第1焊垫的第1端、及电连接于第1节点的第2端；

第2晶体管，包含电连接于所述第2焊垫的第1端、及电连接于所述第1节点的第2端；

第3晶体管，包含电连接于所述第2焊垫的第1端、电连接于所述第1节点的第2端、及电连接于第2节点的栅极，且具有与所述第2晶体管不同的尺寸；

第4晶体管，包含电连接于所述第1焊垫的第1端、电连接于所述第2节点的第2端、及电连接于所述第1节点的栅极；以及

第5晶体管，包含电连接于所述第2焊垫的第1端、电连接于所述第2节点的第2端、及电连接于所述第1节点的栅极；且

所述第1晶体管具有与所述第2晶体管及所述第3晶体管互不相同的极性。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述第4晶体管具有与所述第5晶体管互不相同的极性。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述电源保护电路还包含第1电阻，该第1电阻在所述第2焊垫与所述第1节点之间与所述第3晶体管串联电连接。

4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述电源保护电路还包含第2电阻，该第2电阻在所述第1焊垫与所述第1节点之间与所述第1晶体管串联电连接。

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述电源保护电路还包含第3电阻，该第3电阻在所述第2焊垫与所述第1节点之间与所述第1晶体管并联电连接。

6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其特征在于，

所述电源保护电路还包含：

触发电路，电连接于所述第1焊垫与所述第2焊垫之间，对第3节点输出触发信号；

反相器，包含电连接于所述第3节点的输入端；及

第6晶体管，在所述第2焊垫与所述第1节点之间与所述第3电阻串联电连接，且包含电连接于所述反相器的输出端的栅极。

7.一种半导体存储装置，其特征在于，具备：

第1焊垫，被供给第1电压；

第2焊垫，被供给与所述第1电压不同的第2电压；及

电源保护电路；且

所述电源保护电路包含：

第1晶体管，包含电连接于所述第1焊垫的第1端、及电连接于第1节点的第2端；

第2晶体管，包含电连接于所述第2焊垫的第1端、及电连接于所述第1节点的第2端；

第3晶体管，包含电连接于所述第2焊垫的第1端、电连接于所述第1节点的第2端、及电连接于第2节点的栅极，且具有与所述第2晶体管不同的尺寸；

第4晶体管，包含电连接于所述第1焊垫的第1端、电连接于所述第2节点的第2端、及电连接于所述第1节点的栅极；以及

第5晶体管，包含电连接于所述第2焊垫的第1端、电连接于所述第2节点的第2端、及电连接于所述第1节点的栅极；且

所述第4晶体管的阈值电压低于所述第1晶体管的阈值电压。