[发明专利]三维结构的存储装置

说明书

三维结构的存储装置。一种存储装置包括：基板；沟道结构，该沟道结构设置在所述基板上方并且沿着与所述基板的顶表面垂直的第一方向延伸；多条选通线，所述多条选通线包围所述沟道结构并且沿着所述第一方向叠置在所述基板上方；以及布线，该布线设置在与所述选通线中的至少一条相同的层处。

技术领域

各个实施方式总体上涉及存储装置，并且更具体地，涉及包括三维结构的存储单元阵列的存储装置。

背景技术

半导体存储装置是使用诸如硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)这样的半导体实现的存储装置。半导体存储装置总体上被分类成易失性存储装置和非易失性存储装置。

易失性存储装置是当电力供应中断时丢失所存储的数据的存储装置。易失性存储装置包括静态RAM(SRAM)、动态RAM(DRAM)和同步DRAM(SDRAM)。非易失性存储装置是当电力供应中断时保持所存储的数据的存储装置。非易失性存储装置包括闪存存储装置、只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)和电阻型存储装置(例如，相变RAM(PRAM)、铁电RAM(FRAM)和电阻型RAM(RRAM))。

为了满足消费者所要求的优异性能和低成本，非易失性存储装置的集成度正在增加。在二维或平面存储装置的情况下，通过由单位存储单元所占据的面积来确定集成度。因此，近来，已经开发出其中单位存储单元沿着垂直方向设置的三维结构的存储装置。

发明内容

在一实施方式中，一种存储装置可以包括：基板；沟道结构，该沟道结构设置在所述基板上方并且沿着与所述基板的顶表面垂直的第一方向延伸；多条选通线，所述多条选通线沿着所述第一方向叠置在所述基板上方，所述选通线包围所述沟道结构；以及至少一条布线，所述至少一条布线设置在与所述选通线中的至少一条相同的层处。

在一实施方式中，一种存储装置可以包括：基板；以及存储块，该存储块沿着与所述基板的顶表面垂直的第一方向叠置在所述基板上方。所述存储块包括：沟道结构，该沟道结构沿着所述第一方向延伸；至少一条源选择线、多条字线和至少一条漏选择线，所述至少一条源选择线、所述多条字线和所述至少一条漏选择线包围所述沟道结构并且沿着所述第一方向叠置；以及布线，该布线设置在与所述漏选择线相同的层处。

在一实施方式中，一种存储装置可以包括：基板；以及存储单元阵列，该存储单元阵列沿着与所述基板的顶表面垂直的第一方向叠置在所述基板上方。所述存储单元阵列包括：存储块，该存储块包括沟道结构和多条选通线，所述沟道结构沿着所述第一方向延伸，所述多条选通线包围所述沟道结构并且沿着所述第一方向叠置在所述基板上方；以及布线堆叠，该布线堆叠包括多条布线，所述多条布线沿着所述第一方向叠置在所述基板上方并且设置在分别与所述选通线相同的层处。

附图说明

图1是例示根据实施方式的存储装置的示例的表示的框图。

图2是例示图1中示出的存储块中的一个的示例的表示的电路图。

图3是例示根据实施方式的存储装置的存储块和行解码器的示意性配置的示例的表示的电路图。

图4是例示根据实施方式的存储装置的示例的表示的顶视图。

图5是沿着图4的线A-A’截取的截面图。

图6是沿着图4的线B-B’截取的截面图。

图7是沿着图4的线C-C’截取的截面图。

图8是例示根据实施方式的存储装置的示例的表示的截面图。

图9是例示根据实施方式的存储装置的示例的表示的顶视图。

图10是沿着图9的线D-D’截取的截面图。