[发明专利]一种有机掺杂材料及其有机电致发光器件在审
| 申请号: | 201810148750.1 | 申请日: | 2018-02-13 |
| 公开(公告)号: | CN108376744A | 公开(公告)日: | 2018-08-07 |
| 发明(设计)人: | 蔡辉;孙敬 | 申请(专利权)人: | 长春海谱润斯科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 130000 吉林省长春市北湖科技*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机电致发光器件 有机掺杂材料 有机物层 阴极 有机光电材料 电导率 空穴迁移率 阳极 电子供体 电子受体 发光效率 基质材料 驱动电压 热稳定性 使用寿命 掺杂剂 成膜 发光 掺杂 组建 | ||
1.一种有机掺杂材料,其特征在于,包括掺杂剂和基质材料,所述掺杂剂具有结构式I所示的结构通式:
其中,所述R1选自取代或未取代的C1~C15的烷基、取代或未取代的C6~C60的芳基、取代或未取代的C3~C60的杂芳基;所述R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9独立的选自氰基、卤素、三氟甲基、三氟甲氧基、硝基、取代或未取代的C1~C60的烷基、取代或未取代的C6~C60的芳基、取代或未取代的C3~C60的杂芳基;
所述基质材料具有结构式II所示的结构通式:
所述X选自C(R)2、NR、P(O)R、PR、S、SO、SO2、Si(R)2、O,其中R选自取代或未取代的C1~C15的烷基、取代或未取代的C6~C24的芳基、取代或未取代的C3~C24的杂芳基;
所述A为氢、稠合在苯环上的取代或未取代的C6~C60的芳基、稠合在苯环上的取代或未取代的C3~C60的杂芳基;所述Ar1、Ar2、Ar3独立的选自取代或未取代的C6~C60的芳基、取代或未取代的C3~C60的杂芳基。
2.根据权利要求1所述的一种有机掺杂材料,其特征在于,
所述结构式I中的R1选自取代或未取代的C6–C30的芳基、取代或未取代的C3-C30的杂芳基;
所述结构式II中的X选自C(R)2、NR、S、Si(R)2、O,其中R选自取代或未取代的C1~C10的烷基、取代或未取代的C6~C18的芳基、取代或未取代的C3~C18的杂芳基;所述A为氢、稠合在苯环上的取代或未取代的C6~C30的芳基、稠合在苯环上的取代或未取代的C3~C30的杂芳基;所述Ar1、Ar2、Ar3独立的选自取代或未取代的C6~C30的芳基、取代或未取代的C3~C30的杂芳基。
3.根据权利要求1所述的一种有机掺杂材料,其特征在于,
所述结构式I中的R1选自如下所示取代基团:
其中,X1、X2、X3、X4、X5、X6、X7、X8、X9独立地选自卤素、氰基、三氟甲基、三氟甲氧基、C1-C6的脂肪基、C6-C12的芳基、C3-C12的杂芳基;
所述结构式II中的X选自C(R)2、NR、S、O,其中R选自取代或未取代的C1~C8的烷基、取代或未取代的C6~C12的芳基、取代或未取代的C3~C12的杂芳基;所述A为氢、稠合在苯环上的取代或未取代的C6~C18的芳基、稠合在苯环上的取代或未取代的C6~C18的杂芳基;所述Ar1、Ar2、Ar3独立的选自取代或未取代的C6~C18的芳基、取代或未取代的C3~C18的杂芳基。
4.根据权利要求1所述的一种有机掺杂材料,其特征在于,
所述结构式I中的R2、R3、R8、R9选自氰基;
所述结构式II中的X选自C(R)2、NR、S、Si(R)2、O,其中R选自甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、苯甲基、苯乙基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的吡嗪基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的呋喃基、取代或未取代的噻吩基、取代或未取代的吡咯基。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





