[发明专利]压电装置在审
申请号: | 201810147707.3 | 申请日: | 2018-02-12 |
公开(公告)号: | CN108462478A | 公开(公告)日: | 2018-08-28 |
发明(设计)人: | 洼田正积;渡辺善弘 | 申请(专利权)人: | 日本电波工业株式会社 |
主分类号: | H03H9/17 | 分类号: | H03H9/17;H03H9/13 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马爽;臧建明 |
地址: | 日本东京*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激振电极 压电装置 引出电极 压电基板 电位 振动抑制 电极 相向 | ||
本发明提供一种压电装置,具有适于抑制无用振动的构造。压电装置具备:压电基板、设于所述压电基板的第一主面的第一激振电极及第一引出电极、设于所述压电基板的第二主面的第二激振电极及第二引出电极。进而,压电装置在第一主面的与第二引出电极相向的区域中具备电位与第二激振电极相同的第一无用振动抑制电极,在第二主面的与第一引出电极相向的区域中具备电位与第一激振电极相同的第二无用振动抑制电极。
技术领域
本发明涉及一种以厚度切变振动模式(thickness-shear vibration mode)振动的压电振子、压电振荡器等的压电装置(piezoelectric device)。
背景技术
各种电子设备中,为了选择或控制频率等,而多使用晶体振子或晶体振荡器等的压电装置。具代表的压电装置中,有利用厚度切变振动的压电装置。若以晶体振子而言,则为AT切割晶体振子及SC切割晶体振子所代表的双旋转切割晶体振子。
使用厚度切变振动的压电装置中,存在主振动、和除此以外的振动即无用振动,当两者结合时,压电装置的特性变差。作为抑制无用振动的技术,例如专利文献1的现有技术栏中公开了以下技术:在晶体片的主面上且未形成激振电极的区域中,涂布接着剂并进行加重,由此抑制无用振动。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利特开2003-309446
发明内容
[发明所要解决的问题]
另一方面,对于压电装置而言,特性改善的要求日益提高。例如,对于高精度的温度补偿型晶体振荡器(Temperature Compensate crystal Oscillator,TCXO)而言,有以下的要求:测定晶体振子自身的频率温度特性,并以高次函数、例如4次~7次等的函数将其温度特性近似,依其近似式补偿频率,以使自TCXO的输出的温度特性尽可能平坦。为了满足这种要求,理想的是,晶体振子自身的与频率温度特性有关的近似曲线的相关系数成为1。然而,实际上大多数温度下会产生所谓频率跳变(frequency dip)、即频率偏离近似曲线的现象。针对高精度TCXO所利用的晶体振子的频率温度特性,虽然所述理想状态不可能实现,但也期望在使用预定的环境温度范围、例如-40℃~+85℃的范围内,所述频率跳变为±0.2ppm以内,更优选±0.15ppm以内。
针对这种需求,专利文献1的方法中,无法忽视涂布接着剂的精度偏差,可能反而导致压电装置的特性变差。考虑到压电装置小型化的日益进步,期望出现可应对所述需求的技术。
本申请是鉴于这些方面而成,因此,本申请的目的在于提供一种具有适于抑制无用振动的构造的压电装置。
[解决问题的技术手段]
为了达成所述目的,本申请第一方面的压电装置具备压电基板、设于所述压电基板的第一主面的第一激振电极及从所述第一激振电极引出到所述压电基板的其中一端的第一引出电极、设于所述压电基板的与所述第一主面相向的第二主面的第二激振电极及从所述第二激振电极引出到所述压电基板的另一端的第二引出电极、以及收容所述压电基板的容器,且所述压电装置以厚度切变振动模式振动,并且,在所述压电装置中:
在所述第一主面的与所述第二引出电极相向的区域上、且以距离d1远离所述第一激振电极的区域中,具有:电位与所述第二激振电极相同的第一无用振动抑制电极,和/或,
在所述第二主面的与所述第一引出电极相向的区域上、且以距离d2远离所述第二激振电极的区域中,具有:电位与所述第一激振电极相同的第二无用振动抑制电极,其中,在具备第一无用振动抑制电极及第二无用振动抑制电极的双方的情况下,所述距离d1、所述距离d2可相同也可不同。
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