[发明专利]基于LSPR的多通道微流控传感芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种基于LSPR的多通道微流控传感芯片的制作方法，包括：

将多孔胶片版贴在转移有双通AAO膜的衬底上，然后生长金膜；

依次揭掉多孔胶片版、剥离双通AAO膜，在衬底上得到与多孔胶片版匹配的包含金纳米颗粒阵列的传感单元阵列；

将带有传感单元阵列的衬底和与之匹配的多通道PDMS微流控芯片键合；以及

修饰传感单元阵列中的金纳米颗粒，偶联检测抗体，完成多通道微流控传感芯片的制作。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其中，所述双通AAO膜上具有若干呈阵列分布的纳米孔，所述金纳米颗粒阵列中金纳米颗粒的分布与双通AAO膜上纳米孔的分布一致。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其中：

所述纳米孔的直径介于50nm-95nm之间；和/或

所述纳米孔阵列的周期介于65nm-125nm之间；和/或

所述双通AAO膜的膜厚介于100nm-130nm之间。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其中，所述多通道PDMS微流控芯片中具有若干微流通道，多孔胶片版中具有若干通孔，微流通道的个数、位置、以及大小与通孔的个数、位置、以及大小一致。

5.根据权利要求4所述的制作方法，其中，所述修饰传感单元阵列中的金纳米颗粒，偶联检测抗体，包括：

在微流通道中通入可与金表面通过金硫键结合的溶液；

用EDC/NHS混合液活化羧基，产生可与抗体的氨基结合的羧基；以及

通入检测抗体，检测抗体和产生的羧基通过羧基和氨基的缩合反应而被修饰在传感单元阵列中的金纳米颗粒上。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其中：

所述金膜的生长方式包括：电子束蒸发或者磁控溅射；和/或

所述金膜的厚度介于20nm-60nm之间。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其中，进行所述将带有传感单元阵列的衬底和与之匹配的多通道PDMS微流控芯片键合的步骤之前，还包括：

键合前先对多通道PDMS微流控芯片打孔，在多通道PDMS微流控芯片中的每个微流通道上设置有微流通道入口和微流通道出口，保证检测液体在微流通道的顺利出入。

8.根据权利要求1所述的制作方法，其中，所述将带有传感单元阵列的衬底和与之匹配的多通道PDMS微流控芯片键合的方式有：采用氧等离子体轰击或采用电晕处理器处理。

9.根据权利要求1所述的制作方法，其中，得到所述转移有双通AAO膜的衬底的方法，包括：

把双通AAO膜在丙酮中浸泡，去除其支撑基底，再用镊子把洁净衬底浸入丙酮溶液中，然后使双通AAO膜在衬底从溶液中提起的过程中紧贴衬底，从而被转移在衬底上。

10.一种基于LSPR的多通道微流控传感芯片，由权利要求1至9中任一项所述的制作方法制得。