[发明专利]具有护膜的装置、从光掩模移除护膜及使用护膜的方法有效
| 申请号: | 201810141775.9 | 申请日: | 2018-02-11 |
| 公开(公告)号: | CN109581806B | 公开(公告)日: | 2022-01-07 |
| 发明(设计)人: | 游秋山;涂志强;陈建诚;张宗裕;谢昆龙;许倍诚;李信昌;林云跃 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号: | G03F1/62 | 分类号: | G03F1/62;G03F1/82 |
| 代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 顾伯兴 |
| 地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 装置 光掩模移 使用 方法 | ||
一种从光掩模移除护膜的方法包括从护膜框架移除膜片的一部分,其中在所述移除所述膜片的所述部分之后,所述护膜框架保持附着到所述光掩模。所述方法进一步包括从所述光掩模移除所述护膜框架。所述方法进一步包括对所述光掩模进行清洁。
技术领域
本揭露的实施例是有关于一种从光掩模移除护膜的方法、使用护膜的方法及具有护膜的装置。
背景技术
护膜(pellicle)用于覆盖光掩模的一部分,所述光掩模用于使用光刻工艺将图案转印到晶片。护膜包括附着到光掩模的框架及跨越所述框架的顶部延伸的膜片。护膜有助于防止微粒接触光掩模并对待转印到晶片的图案引入失真。
在一些情况中,从光掩模移除护膜。举例来说,在一些情况中,如果膜片变雾浊或被损坏,则移除护膜。用于将护膜与光掩模分离的移除工艺会增加使膜片破裂的风险。
发明内容
本发明的一实施例揭露一种从光掩模移除护膜的方法。所述方法包括从护膜框架移除膜片的一部分,其中在所述移除所述膜片的所述部分之后,所述护膜框架保持附着到所述光掩模。所述方法进一步包括从所述光掩模移除所述护膜框架。所述方法进一步包括对所述光掩模进行清洁。
本发明的一实施例揭露一种使用护膜的方法。所述方法包括将所述护膜附着到光掩模。所述光掩模包括经图案化表面。所述护膜包括护膜框架及膜片,所述膜片跨越所述护膜框架延伸并覆盖所述经图案化表面。所述方法进一步包括从所述护膜框架移除所述膜片的一部分,其中在所述移除所述膜片的所述部分之后,所述护膜框架保持附着到所述光掩模。所述方法进一步包括从所述光掩模移除所述护膜框架。
本发明的一实施例揭露一种具有护膜的装置。所述装置包括具有经图案化表面的光掩模。所述装置进一步包括附着到所述光掩模的护膜。所述护膜包括附着到所述光掩模的框架,其中所述框架包括至少一个通气孔。所述护膜进一步包括过滤器,所述过滤器覆盖所述至少一个通气孔的至少一个侧。所述护膜进一步包括在所述经图案化表面之上延伸的膜片。所述护膜进一步包括位于所述框架与所述膜片之间的底座,其中所述底座通过粘合剂附着到所述框架。
附图说明
结合附图阅读以下详细说明,会最佳地理解本发明的各方面。应注意,根据本行业中的标准惯例,各种特征并非按比例绘制。事实上,为使论述清晰起见,可任意增大或减小各种特征的尺寸。
图1是根据一些实施例从光掩模移除护膜的方法的流程图。
图2A是根据一些实施例连接到光掩模的护膜的剖视图。
图2B是根据一些实施例连接到光掩模的护膜的剖视图。
图3是根据一些实施例用于从护膜框架移除膜片的系统的剖视图。
图4是根据一些实施例用于从护膜框架移除膜片的系统的剖视图。
图5是根据一些实施例用于从护膜框架移除膜片的系统的剖视图。
图6A、图6B及图6C是根据一些实施例在各种处理阶段期间从光掩模移除护膜框架的剖视图。
具体实施方式
以下公开内容提供用于实作所提供主题的不同特征的许多不同的实施例或实例。以下阐述组件、值、操作、材料、构造等的具体实例以简化本公开。当然,这些仅为实例且不旨在进行限制。能设想出其他组件、值、操作、材料、构造等。例如,以下说明中将第一特征形成在第二特征之上或第二特征上可包括其中第一特征与第二特征被形成为直接接触的实施例,且也可包括其中第一特征与第二特征之间可形成有额外特征、从而使得所述第一特征与所述第二特征可能不直接接触的实施例。另外,本公开可能在各种实例中重复使用参考编号及/或字母。这种重复使用是出于简洁及清晰的目的,而不是自身表示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备





