[发明专利]基板处理装置和基板处理方法有效
申请号: | 201810141286.3 | 申请日: | 2018-02-11 |
公开(公告)号: | CN108461423B | 公开(公告)日: | 2022-03-22 |
发明(设计)人: | 墨周武;远藤亨 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 丁文蕴;李平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
1.一种基板处理装置,其特征在于,具备:
保持部件,其以大致水平姿势保持基板且能够以铅垂方向的旋转轴为中心旋转;
旋转机构,其使所述保持部件以所述旋转轴为中心旋转;
处理液供给机构,其向所述基板的表面供给处理液;
内侧保护件,其具有包围所述保持部件的周围并沿着所述旋转轴延伸的筒状的侧壁,且上端开放;
外侧保护件,其以与所述内侧保护件之间形成对所述基板的上方的气体进行引导的流路的方式设置于所述内侧保护件的外侧,并具有包围所述保持部件的周围并沿着所述旋转轴延伸的筒状的侧壁,且上端开放;以及
排气导管,其包含与形成在所述内侧保护件与所述外侧保护件之间的所述流路连通的排气口,向外部引导该流路内的气体,
所述外侧保护件的上端位于比所述内侧保护件的上端靠上方,
所述外侧保护件的上端和所述内侧保护件的上端所成的开口与所述旋转轴对置,
所述外侧保护件相对于所述内侧保护件相对偏心地配置,以使所述内侧保护件的侧壁与所述外侧保护件的侧壁的间隔在所述排气口侧比相对于所述旋转轴而言与所述排气口相反的一侧宽,
所述内侧保护件和所述外侧保护件设置为,使所述流路的通风阻力在所述排气口侧比相对于所述旋转轴而言与所述排气口相反的一侧小,与相对于所述旋转轴而言位于与所述排气口相反侧的所述开口相比,使所述基板的上方的部分中的位于比所述内侧保护件的上端靠上方且位于比所述外侧保护件的上端靠下方的部分的气体主要从所述基板的上方朝向相对于所述旋转轴而言所述排气口侧的所述开口流动。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
还包括向所述基板供给硫酸的硫酸供给机构和向所述基板供给过氧化氢的过氧化氢供给机构,
所述内侧保护件的侧壁与所述外侧保护件的侧壁的间隔调整为,使硫酸与过氧化氢混合时发生的烟雾横穿所述基板的上方,并朝向相对于所述旋转轴而言所述排气口侧的所述开口流动。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述内侧保护件的侧壁的中心轴与所述旋转轴一致,
所述外侧保护件的侧壁相对于所述旋转轴向所述排气口侧偏心。
4.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述外侧保护件的侧壁的中心轴与所述旋转轴一致,
所述内侧保护件的侧壁相对于所述旋转轴向与所述排气口相反的一侧偏心。
5.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述外侧保护件的侧壁相对于所述旋转轴向所述排气口侧偏心,所述内侧保护件的侧壁相对于所述旋转轴向与所述排气口相反的一侧偏心。
6.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于,
在俯视视角中由从所述旋转轴向所述排气口的中心延伸的假想的射线来定义第一射线,
并由以所述旋转轴为中心使所述第一射线向所述基板的旋转方向的下游侧旋转锐角所得到的假想的射线来定义第二射线,此时,
就所述内侧保护件的侧壁与所述外侧保护件的侧壁的间隔而言,在俯视视角中所述内侧保护件的侧壁和所述外侧保护件的侧壁分别与所述第二射线交叉的位置最宽。
7.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述处理液供给机构具备喷嘴,该喷嘴将所述处理液从所述基板的上方排出至所述基板的表面中的相对于所述基板的中心而言位于所述排气口侧的液体着落位置,
所述液体着落位置是排出至所述液体着落位置的所述处理液在所述基板的表面所形成的液膜覆盖所述基板的中心的位置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造