[发明专利]一种Si3

权利要求书

1.一种Si₃N₄/SiC复合吸波陶瓷的制备方法，其特征在于，该复合吸波陶瓷物相组成为Si₃N₄、SiC和石墨烯；所述Si₃N₄、SiC和石墨烯的质量比为95：5：0.3；具体包括以下步骤：

（1）制备Si₃N₄/SiC复合吸波陶瓷的生坯：将Si₃N₄粉末、SiC粉体、石墨烯和无水乙醇混合，在室温下进行磁力搅拌及超声分散20min得到混合浆料；随后将混合浆料放入聚四氟乙烯罐中进行行星式球磨12小时，球磨介质为氮化硅球，分散剂为1wt%聚乙二醇；球磨后的浆料放入真空干燥箱中在80℃下干燥2h得混合粉体；然后经过造粒、陈腐24h后过200目筛备用；将混合粉末利用压片机预成型样品，再利用冷等静压机制备Si₃N₄/SiC生坯；

（2）烧结：生坯于高纯氮气气氛中高温烧结，得Si₃N₄/SiC复合吸波陶瓷。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述Si₃N₄粉末、SiC粉体、石墨烯及无水乙醇的质量比为95：5：0.3：20。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述Si₃N₄粉末的平均粒径为300nm；所述SiC粉体的平均粒径为200nm。

4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述压片机的成型压力为10MPa，保压时间2min。

5.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述利用冷等静压机制备Si₃N₄/SiC生坯为200MPa下保压2min。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述高温烧结为1650-1750℃、0.1-4MPa条件下烧结1-2h，升温速度为10℃/分钟。