[发明专利]显示屏以及电子设备在审
申请号: | 201810136339.2 | 申请日: | 2018-02-09 |
公开(公告)号: | CN108365123A | 公开(公告)日: | 2018-08-03 |
发明(设计)人: | 徐童;单奇;邢汝博 | 申请(专利权)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 唐清凯 |
地址: | 065500 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示屏 变化光 透过率 电致 发光单元 电子设备 导电层 像素区 通电 材料表现 吸光性 外界环境光 正常显示 偏光片 透光性 发光 改进 | ||
1.一种显示屏,其特征在于,包括导电层和形成在所述导电层上的第一类发光单元;
所述第一类发光单元包括像素区以及处于所述像素区周围的电致变化光透过率材料;在通电时,所述电致变化光透过率材料表现为吸光性;在不通电时,所述电致变化光透过率材料表现为透光性。
2.根据权利要求1所述的显示屏,其特征在于,在所述第一类发光单元中,在所述电致变化光透过率材料上设置有透明的像素限定层。
3.根据权利要求1或2所述的显示屏,其特征在于,所述电致变化光透过率材料的厚度小于所述像素区内的像素层的厚度。
4.根据权利要求2所述的显示屏,其特征在于,所述电致变化光透过率材料的厚度为1μm~3μm,所述像素限定层的厚度为3μm~5μm。
5.根据权利要求2所述的显示屏,其特征在于,所述显示屏还包括第二类发光单元,所述第二类发光单元包括像素区以及处于所述像素区周围的像素限定层,并且不含有所述电致变化光透过率材料;
所述多个第一类发光单元聚集成第一显示区,所述多个第二类发光单元聚集成第二显示区。
6.根据权利要求5所述的显示屏,其特征在于,在所述显示屏中,在所述第一显示区的上方不设置偏光片。
7.根据权利要求1到6中任一项所述的显示屏,其特征在于,所述电致可变透过率材料为聚苯胺、聚噻吩和聚噻吩衍生物中的一种,或氧化钨、氧化钛和氧化镍中的一种。
8.根据权利要求7所述的显示屏,其特征在于,所述聚噻吩衍生物为1,3-二甲基聚噻吩或者1,4-对二甲基聚噻吩。
9.一种电子设备,其特征在于,包括:
显示屏;所述显示屏包括导电层和形成在所述导电层上的第一类发光单元,
所述第一类发光单元包括像素区以及处于所述像素区周围的电致变化光透过率材料;在通电时,所述电致变化光透过率材料表现为吸光性;在不通电时,所述电致变化光透过率材料表现为透光性;
屏下光敏模块,其能感应穿过所述显示屏而照射进来的光。
10.根据权利要求9所述的电子设备,其特征在于包括:所述屏下光敏模块为光电传感器、摄像头中至少其中之一。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择