[发明专利]利用低品位硅藻土制备多孔硅吸附材料的方法及多孔硅吸附材料

权利要求书

1.一种利用低品位硅藻土制备多孔硅吸附材料的方法，其特征在于，其包括如下步骤：1)制备焙烧硅藻土；2)碱浸脱硅；3)过滤、洗涤；4)制备高活性石灰乳；5)制得多孔硅吸附材料；其中，

1)制备焙烧硅藻土：将低品位硅藻土破碎粉磨，在200～300℃条件下焙烧1-3h，去除其中的有机质，然后进行筛分，得到粒度大于325目的焙烧硅藻土；

2)碱浸脱硅：将所述焙烧硅藻土和一定浓度的氢氧化钠溶液混合搅拌，进行碱浸脱硅反应，得到悬浮料浆体系；

3)过滤、洗涤：将所述悬浮料浆体系进行过滤分离得到滤饼和滤液，对所述滤饼进行洗涤，洗涤后的洗涤水与滤液混合后过筛除去悬浮杂质，得到脱硅溶液，所述滤饼经多次洗涤后得到脱硅渣；

4)制备高活性石灰乳：将生石灰加水进行消化得到高活性石灰乳；

5)制得多孔硅吸附材料：将步骤4)所得石灰乳和步骤3)所得脱硅溶液混合搅拌，反应完成后过滤、洗涤、分离得到过滤滤饼和回收氢氧化钠溶液；所述过滤滤饼经烘干、粉磨得到多孔硅吸附材料。

2.根据权利要求1所述的一种利用低品位硅藻土制备多孔硅吸附材料的方法，其特征在于，所述步骤1)中的低品位硅藻土中SiO₂的质量百分含量低于80％。

3.根据权利要求1所述的一种利用低品位硅藻土制备多孔硅吸附材料的方法，其特征在于，所述步骤2)中，所述氢氧化钠溶液的质量浓度为5～30％。

4.根据权利要求1所述的一种利用低品位硅藻土制备多孔硅吸附材料的方法，其特征在于，所述步骤2)中，低品位硅藻土中的SiO₂与氢氧化钠的摩尔质量比为0.5:1～1.5。

5.根据权利要求1所述的一种利用低品位硅藻土制备多孔硅吸附材料的方法，其特征在于，所述步骤2)中，低品位硅藻土与氢氧化钠溶液的脱硅反应温度为80～220℃，脱硅反应时间为0.5～3小时。

6.根据权利要求1所述的一种利用低品位硅藻土制备多孔硅吸附材料的方法，其特征在于，所述步骤4)中，生石灰与水的质量比为1:3～8，水的温度为60～95℃。

7.根据权利要求1所述的一种利用低品位硅藻土制备多孔硅吸附材料的方法，其特征在于，所述步骤5)中，石灰乳中Ca(OH)₂与脱硅溶液中SiO₂的化学计量比为0.6～1:1，反应温度为90～

130℃，反应时间为0.5～2.5小时。

8.根据权利要求1所述的一种利用低品位硅藻土制备多孔硅吸附材料的方法，其特征在于，所述步骤5)中，所述过滤滤饼的烘干温度为150～400℃，烘干时间为0.5～8小时。

9.根据权利要求1所述的一种利用低品位硅藻土制备多孔硅吸附材料的方法，其特征在于，所述步骤5)中，所述回收氢氧化钠溶液浓缩后返回所述步骤1)中循环使用，回收浓缩后氢氧化钠溶液的质量浓度为10～12％。

10.利用权利要求1-9任意一项所述的一种利用低品位硅藻土制备多孔硅吸附材料的方法制备的多孔硅吸附材料。