[发明专利]抗蚀剂剥离液组合物

说明书

本发明提供一种抗蚀剂剥离液组合物，其包含化学式1所表示的含有羟基甲基氨基的叔胺0.1～20重量％、和极性有机溶剂79～99.9重量％。下述化学式1中，R₁和R₂各自独立地为碳原子数1～5的烷基、碳原子数1～5的羟基烷基或碳原子数1～5的烷氧基。所述抗蚀剂剥离液组合物对于铜膜和铝膜的防腐蚀力、溶解力和剥离力优异。

技术领域

本发明涉及抗蚀剂剥离液组合物。

背景技术

光致抗蚀剂(Photoresist)是可以利用借助光的光化学反应而将预先画在光掩模(Photomask)的微细图案图形化于期望的基板上的化学被膜，其作为与光掩模一同应用于曝光技术的高分子材料，被认为直接影响元件的集成度，决定最终分辨率限度的主要因素。为了在限定了大小的半导体中形成根据又称摩尔定律(Moore's law；半导体的集成度每2年增加为2倍的理论)每年增加的电路的集成度，需要将设计的电路更小地图案化(patterning)，因此半导体集成度的增加必然不断要求开发新的光致抗蚀剂。

为了制造半导体元件或高分辨率的平板显示器，一般使用利用这样的光致抗蚀剂在基板上形成微细配线的光刻工序，这是利用光致抗蚀剂的热学、机械、化学特性将光致抗蚀剂涂布于基板后，使其曝光(exposure)于一定波长的光，且实施干式或湿式蚀刻的方法。

在利用光致抗蚀剂的微细图案化技术中，与开发新的光致抗蚀剂一起受到重视的领域是抗蚀剂剥离液(Stripper或Photoresist Remover)。光致抗蚀剂在工序结束后需要利用所谓剥离液(Stripper或Photoresist Remover)的溶剂进行去除，这是因为，蚀刻过程后多余的光致抗蚀剂层和通过蚀刻及清洗过程残留在基板上的金属残留物或改性的光致抗蚀剂残留物会产生导致半导体制造的收率降低等问题。

作为代表性使用的干式蚀刻法，可以举出等离子体蚀刻、离子注入蚀刻等方法，在这样的等离子体蚀刻的情况下，由于利用等离子体气体与导电层之类的物质膜之间的气相-固相反应而实施蚀刻工序，因而等离子体蚀刻气体的离子和自由基与光致抗蚀剂发生化学反应而使光致抗蚀剂膜固化及改性，因此不易去除。此外，离子注入工艺是在半导体/LED/LCD元件的制造工序中为了对基板的特定区域赋予导电性而使磷、砷、硼等元素扩散的工艺，由于离子与正型光致抗蚀剂发生化学反应而使其改性，因此也不易去除。

由此，针对对于蚀刻残渣的去除力、对于改性的光致抗蚀剂残留物的优异的剥离力、和对于下部金属配线的腐蚀抑制力等要求相当水平的剥离特性。

韩国注册专利第10-0672102号公开了一种光致抗蚀剂剥离液组合物，但存在对于铜膜的防腐蚀力不足，溶解力和剥离力降低的问题。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：韩国注册专利第10-0672102号

发明内容

解决课题的方法

为了解决上述问题，本发明的目的在于提供对于包含铝、铜、钛、钼等的下部金属膜的防腐蚀力、溶解力和剥离力优异的抗蚀剂剥离液组合物。

解决课题的方法

本发明提供一种抗蚀剂剥离液组合物，其包含化学式1所表示的含有羟基甲基氨基的叔胺0.1～20重量％、极性有机溶剂79～99.9重量％。

[化学式1]

上述化学式1中，R₁和R₂各自独立地为碳原子数1～5的烷基、碳原子数1～5的羟基烷基或碳原子数1～5的烷氧基。

发明效果