[发明专利]射频前端微系统模块及其制造方法

权利要求书

1.一种射频前端微系统模块，其特征在于，包括：

第一基板（10），包括第一半导体层（110），具有相对的正面（11）和背面（12），设置于所述正面的第一介质层（120），设置于所述第一半导体层和所述第一介质层中的第一射频CMOS电路（150）；

滤波器（200），所述滤波器设置于所述第一介质层背离所述第一半导体层的一侧；

功率放大器（300），所述功率放大器设置于所述第一介质层背离所述第一半导体层的一侧；

第一片间互连线（20），连接所述滤波器与所述第一射频CMOS电路；以及

第二片间互连线（30），连接所述功率放大器与所述第一射频CMOS电路；

所述背面设置有第二介质层；

第二基板（400），所述第二基板包括第二半导体层（410）和设置于所述第二半导体层上的第三介质层（420），所述第二基板包括设置于所述第二半导体层和所述第三介质层内的第二射频CMOS电路，所述第三介质层与所述第一介质层背离所述第二介质层的一侧相粘附；

第三片间互连线（60），所述第三片间互连线包括穿过所述第一半导体层的第五片间互连件（61）、第六片间互连件（62）和设置于所述第二介质层内的第三辅助互连件（65），所述第六片间互连件（62）的一端与所述第一射频CMOS电路的第一射频连接件相连接，所述第三辅助互连件的一端与所述第六片间互连件的另一端相连接，所述第三辅助互连件的另一端与所述第五片间互连件的一端相连接，所述第五片间互连件的另一端与所述第二射频CMOS电路的第二射频连接件相连接。

2.如权利要求1所述的射频前端微系统模块，其特征在于，所述第一射频CMOS电路包括射频收发转换开关子电路（151），用于与射频前端微系统模块外的射频天线相连接。

3.如权利要求2所述的射频前端微系统模块，其特征在于，所述滤波器包括滤波输入输出焊接板（291）；所述第一片间互连线包括穿过所述第一半导体层的第一片间互连件（21）、第二片间互连件（22）和设置于所述第二介质层内的第一辅助互连件（25），所述第一片间互连件（21）的一端与滤波输入输出焊线板相连接，所述第一辅助互连件的一端与所述第一片间互连件的另一端相连接，所述第一辅助互连件的另一端与所述第二片间互连件（22）的一端相连接，所述第二片间互连件的另一端与所述射频收发转换开关子电路电学互连。

4.如权利要求3所述的射频前端微系统模块，其特征在于，所述第一片间互连件和所述第二片间互连件皆垂直穿过所述第一半导体层。

5.如权利要求2所述的射频前端微系统模块，其特征在于，所述功率放大器包括功放输入输出焊线板（391）；所述第二片间互连线包括穿过所述第一半导体层的第三片间互连件（31）、第四片间互连件（32）和设置于所述第二介质层内的第二辅助互连件（35），所述第三片间互连件（31）的一端与所述功放输入输出焊线板相连接，所述第二辅助互连件的一端与所述第三片间互连件的另一端相连接，所述第二辅助互连件的另一端与所述第四片间互连件的一端相连接，所述第四片间互连件的另一端与所述射频收发转换开关子电路电学互连。

6.如权利要求5所述的射频前端微系统模块，其特征在于，所述第三片间互连件和所述第四片间互连件皆垂直穿过所述第一半导体层。

7.如权利要求1所述的射频前端微系统模块，其特征在于，所述第五片间互连件和所述第六片间互连件皆垂直穿过所述第一半导体层。

8.如权利要求1所述的射频前端微系统模块，其特征在于，所述第一介质层、第二介质层和第三介质层的材料包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种。

9.如权利要求1所述的射频前端微系统模块，其特征在于，所述第一半导体层的厚度小于等于1微米。

10.如权利要求1所述的射频前端微系统模块，其特征在于，所述第一基板与所述滤波器和/或所述第一基板与所述功率放大器堆叠的厚度小于等于1毫米。