[发明专利]一种像素排布结构及相关装置在审
申请号: | 201810135146.5 | 申请日: | 2018-02-09 |
公开(公告)号: | CN110137210A | 公开(公告)日: | 2019-08-16 |
发明(设计)人: | 吴海东;李彦松;周威龙;白珊珊;刘月;肖志慧 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;C23C14/04;C23C14/12;C23C14/24 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 子像素 虚拟四边形 对角线 像素排布结构 中心位置处 显示器件 相关装置 顶角位置 工艺条件 间距相等 紧密排列 驱动电流 相邻像素 像素开口 像素排布 中点位置 分辨率 侧边 减小 | ||
1.一种像素排布结构,其特征在于,包括:第一子像素,第二子像素和第三子像素;
所述第一子像素位于第一虚拟四边形的中心位置处和所述第一虚拟四边形的四个顶角位置处;
所述第二子像素位于所述第一虚拟四边形的侧边中点位置处;
所述第三子像素位于第二虚拟四边形内,所述第二虚拟四边形由位于所述第一虚拟四边形相邻两个侧边中点位置处的两个所述第二子像素、与该两个所述第二子像素均相邻且分别位于所述第一虚拟四边形的中心位置处和所述第一虚拟四边形的一顶角位置处的所述第一子像素作为顶角顺次相连形成,且四个所述第二虚拟四边形构成一个所述第一虚拟四边形;
在所述第一虚拟四边形内,位于所述第一虚拟四边形的中心位置处的所述第一子像素与位于对角的所述第二虚拟四边形内的两个所述第三子像素之间的最小间距相等且为第一间距;位于所述第一虚拟四边形的中心位置处的所述第一子像素与位于另一对角的所述第二虚拟四边形内的两个所述第三子像素之间的最小间距相等且为第二间距,所述第一间距小于所述第二间距。
2.如权利要求1所述的像素排布结构,其特征在于,在所述第一虚拟四边形内,位于所述第一虚拟四边形的中心位置处的所述第一子像素与各所述第二子像素之间的最小间距均相等且为第三间距。
3.如权利要求2所述的像素排布结构,其特征在于,所述第二间距大于所述第三间距,所述第三间距大于所述第一间距。
4.如权利要求1所述的像素排布结构,其特征在于,所述第二子像素与相邻的四个第三子像素之间的最小间距均相等且等于所述第一间距。
5.如权利要求1所述的像素排布结构,其特征在于,在所述第一虚拟四边形内,位于行相邻的所述第二虚拟四边形内的两个所述第三子像素之间的最小间距为第四间距,位于列相邻的所述第二虚拟四边形内的两个所述第三子像素之间的最小间距为第五间距,所述第五间距大于所述第四间距。
6.如权利要求5所述的像素排布结构,其特征在于,位于所述第一虚拟四边形的中心位置处的所述第一子像素与位于所述第一虚拟四边形的四个顶角位置处的各所述第一子像素之间的间距相等且为第六间距,所述第六间距大于所述第五间距。
7.如权利要求6所述的像素排布结构,其特征在于,在所述第一虚拟四边形内,相邻的所述第二子像素之间的最小间距相等且为第七间距,所述第七间距大于所述第五间距且小于所述第六间距。
8.如权利要求1所述的像素排布结构,其特征在于,所述第一子像素的形状为等边四边形,所述第二子像素的形状为矩形,所述第三子像素的形状为八边形。
9.如权利要求8所述的像素排布结构,其特征在于,在所述第一虚拟四边形内,所述第三子像素呈“X”状分布。
10.如权利要求8所述的像素排布结构,其特征在于,在所述第一虚拟四边形内,所述第二子像素呈风车状分布。
11.如权利要求1-10任一项所述的像素排布结构,其特征在于,所述第一子像素为红色子像素,所述第二子像素为蓝色子像素;
所述第三子像素为绿色子像素。
12.如权利要求11所述的像素排布结构,其特征在于,所述第三子像素的面积小于所述第二子像素的面积,且所述第一子像素的面积小于所述第二子像素的面积。
13.一种有机电致发光显示面板,其特征在于,包括如权利要求1-12任一项所述的像素排布结构,其中,相邻的第一虚拟四边形以共用侧边的方式在行方向和列方向排列。
14.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求13所述的有机电致发光显示面板。
15.一种高精度金属掩模板,用于制作如权利要求1-12任一项所述的像素排布结构,其特征在于,包括:多个开口区域,所述开口区域与所述第一子像素,第二子像素或第三子像素的形状和位置对应。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的