[发明专利]有机发光显示设备在审
| 申请号: | 201810134401.4 | 申请日: | 2018-02-09 |
| 公开(公告)号: | CN108417601A | 公开(公告)日: | 2018-08-17 |
| 发明(设计)人: | 郑镇九;金建熙;金庆昊;金星民;南恩景;崔千基 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 康泉;宋志强 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 绝缘层 基板 有机发光显示设备 有机发光元件 有机发光层 发射区域 通孔 非发射区域 第一电极 有机绝缘材料 第二电极 限定开口 发射光 开口 | ||
本发明公开了一种有机发光显示设备。该有机发光显示设备,包括:基板,包括发射区域和非发射区域;有机发光元件,用于发射光,所述有机发光元件包括:第一电极,在发射区域中设置在基板上;有机发光层,在发射区域中设置在第一电极上;及第二电极,设置在有机发光层上;以及通孔绝缘层,在基板的非发射区域中设置在基板上,所述通孔绝缘层包括有机绝缘材料。通孔绝缘层在其中限定开口,在所述开口中设置有有机发光元件的有机发光层。
技术领域
实施例涉及显示设备。更具体而言,实施例涉及有机发光显示设备。
背景技术
有机发光显示设备可具有有机发光元件,有机发光元件包括空穴注入层、电子注入层以及形成于空穴注入层和电子注入层之间的有机发光层。在有机发光显示设备中,当作为从空穴注入层注入的空穴与从电子注入层注入的电子之结合的激子从激发态下降到基态时,可产生光。
有机发光显示设备可不包括单独的用以产生光的光源,并且因此有机发光显示设备可具有相对小的厚度和轻的重量以及相对低的功耗。此外,有机发光显示设备可具有相对宽的视角、高的对比度以及高的响应速度等。
发明内容
一个或多个实施例提供一种用于防止有机发光层的损坏的有机发光显示设备。
一个或多个实施例提供一种用于减少或有效防止有机发光元件的损坏的有机发光显示设备。
根据一个或多个实施例的有机发光显示设备包括:基板,包括发射区域和非发射区域;有机发光元件,用于发射光,所述有机发光元件包括:第一电极,在发射区域中设置在基板上;有机发光层,在发射区域中设置在第一电极上;及第二电极,设置在有机发光层上;以及通孔绝缘层,在基板的非发射区域中设置在基板上,所述通孔绝缘层包括有机绝缘材料。通孔绝缘层在其中限定开口,在所述开口中设置有有机发光元件的有机发光层。
在实施例中,通孔绝缘层的顶表面距基板的最大高度可大于第一电极的中心部分的底表面距基板的高度。
在实施例中,有机发光显示设备还可包括:晶体管,在基板的发射区域中连接到有机发光元件,所述晶体管在非发射区域中设置在基板上。
在实施例中,第一电极的中心部分的底表面距基板的高度可设置在与晶体管的漏电极相同的高度处。
在实施例中,有机发光显示设备还可包括:钝化层,包括无机绝缘材料,其中所述通孔绝缘层位于钝化层与基板之间。
在实施例中,钝化层可沿着通孔绝缘层的顶表面和侧壁延伸。
在实施例中,钝化层可仅设置在非发射区域中。
在实施例中,钝化层可设置在非发射区域和发射区域中。
在实施例中,有机发光显示设备还可包括:钝化层,设置在基板与通孔绝缘层之间,所述钝化层包括无机绝缘材料。
在实施例中,钝化层可仅设置在非发射区域中。
在实施例中,钝化层可设置在非发射区域和发射区域中。
根据一个或多个实施例的有机发光显示设备包括:基板;多个子像素,设置在基板上,所述多个子像素各自包括有机发光元件;以及通孔绝缘层,在包括有机发光元件的子像素中的每个子像素中设置在基板上,所述通孔绝缘层包括有机绝缘材料。通孔绝缘层在其中限定开口,在所述开口中设置有多个子像素中的至少一个子像素的有机发光元件。
在实施例中,多个子像素可包括蓝色子像素、绿色子像素和红色子像素。蓝色子像素的有机发光元件可设置在通孔绝缘层的开口中。
在实施例中,有机发光显示设备还可包括:钝化层,设置在通孔绝缘层与有机发光元件之间,所述钝化层包括无机绝缘材料。
在实施例中,钝化层可沿着通孔绝缘层的顶表面和侧壁延伸。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810134401.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





