[发明专利]一种像素排布结构、高精度金属掩模板及显示装置在审
申请号: | 201810134124.7 | 申请日: | 2018-02-09 |
公开(公告)号: | CN110137208A | 公开(公告)日: | 2019-08-16 |
发明(设计)人: | 张浩瀚;刘月;肖志慧;白珊珊;李彦松 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;C23C14/04;C23C14/12;C23C14/24 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 子像素 像素排布结构 金属掩模板 显示装置 像素 物理分辨率 低分辨率 发光像素 高分辨率 显示效果 同行 子像 | ||
1.一种像素排布结构,其特征在于,包括:矩阵排列的多个重复单元;其中,所述重复单元包括分布于两行且两列上的四个子像素,其中,所述四个子像素中包括两个第一子像素、一个第二子像素和一个第三子像素,且两个所述第一子像素不同行且不同列。
2.如权利要求1所述的像素排布结构,其特征在于,所述第一子像素包括呈镜像设置的两个亚子像素;或
所述第二子像素包括呈镜像设置的两个亚子像素;或
所述第三子像素包括呈镜像设置的两个亚子像素。
3.如权利要求2所述的像素排布结构,其特征在于,呈镜像设置的所述两个亚子像素相对的侧边相互平行。
4.如权利要求3所述的像素排布结构,其特征在于,所述亚子像素的形状为半圆形或者半椭圆形。
5.如权利要求4所述的像素排布结构,其特征在于,呈镜像设置的所述两个亚子像素沿行方向排列,或者沿列方向排列。
6.如权利要求5所述的像素排布结构,其特征在于,在列方向上与所述亚子像素相邻的子像素的形状为异形四边形,且所述异形四边形靠近所述的亚子像素的一边呈内凹的弧形。
7.如权利要求5所述的像素排布结构,其特征在于,在行方向上与所述亚子像素相邻的子像素的形状为异形四边形,且所述异形四边形靠近所述的亚子像素的一边呈内凹的弧形。
8.如权利要求2所述的像素排布结构,其特征在于,沿列方向相邻的两个子像素的相对的侧边相互平行。
9.如权利要求2所述的像素排布结构,其特征在于,沿行方向相邻的两个子像素的相对的侧边相互平行。
10.如权利要求2所述的像素排布结构,其特征在于,所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素分别为蓝色子像素、红色子像素和绿色子像素中的一种。
11.如权利要求10所述的像素排布结构,其特征在于,所述蓝色子像素的面积大于所述绿色子像素的面积,所述蓝色子像素的面积大于所述红色子像素的面积。
12.如权利要求2所述的像素排布结构,其特征在于,沿行方向相邻的两个子像素的最小间距均相等;和/或
沿列方向相邻的两个子像素的最小间距均相等。
13.如权利要求12所述的像素排布结构,其特征在于,沿行方向相邻的两个子像素的最小间距与沿列方向相邻的两个子像素的最小间距相等。
14.一种高精度金属掩模板,用于制作如权利要求1-13任一项所述的像素排布结构,其特征在于,包括:多个开口区域,所述开口区域与所述第一子像素,第二子像素或第三子像素的形状和位置对应。
15.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-13任一项所述的像素排布结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的