[发明专利]一种像素排布结构及相关装置在审
申请号: | 201810134066.8 | 申请日: | 2018-02-09 |
公开(公告)号: | CN110137206A | 公开(公告)日: | 2019-08-16 |
发明(设计)人: | 肖志慧;刘月;张浩瀚;白珊珊 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;C23C14/24;C23C14/12;C23C14/04 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 子像素 虚拟四边形 像素排布结构 显示器件 相关装置 中心距离 相等 中心位置处 顶角位置 工艺条件 紧密排列 驱动电流 相邻像素 像素开口 像素排布 中点位置 分辨率 侧边 减小 | ||
1.一种像素排布结构,其特征在于,包括:第一子像素,第二子像素和第三子像素;
所述第一子像素位于第一虚拟四边形的中心位置处和所述第一虚拟四边形的四个顶角位置处;
所述第二子像素位于所述第一虚拟四边形的侧边中点位置处;
所述第三子像素位于第二虚拟四边形内,所述第二虚拟四边形由位于所述第一虚拟四边形相邻两个侧边中点位置处的两个所述第二子像素、与该两个所述第二子像素均相邻且分别位于所述第一虚拟四边形的中心位置处和所述第一虚拟四边形的一顶角位置处的所述第一子像素作为顶角顺次相连形成,且四个所述第二虚拟四边形构成一个所述第一虚拟四边形;
在所述第二虚拟四边形内,所述第三子像素的中心与两个所述第一子像素的中心之间的距离相等;和/或,在所述第二虚拟四边形内,所述第三子像素的中心与两个所述第二子像素的中心之间的距离相等。
2.如权利要求1所述的像素排布结构,其特征在于,在所述第二虚拟四边形内,所述第三子像素的中心与两个所述第二子像素的中心之间的距离不等于所述第三子像素的中心与两个所述第一子像素的中心之间的距离。
3.如权利要求2所述的像素排布结构,其特征在于,所述第二虚拟四边形内,相对的两个内角等于90°,相对的另外两个内角中的一个大于90°,另一个小于90°。
4.如权利要求3所述的像素排布结构,其特征在于,位于一个所述第一虚拟四边形的对角线位置处的两个所述第二虚拟四边形的形状相同。
5.如权利要求4所述的像素排布结构,其特征在于,在所述第一虚拟四边形内,所述第三子像素呈“X”状分布。
6.如权利要求1所述的像素排布结构,其特征在于,在所述第二虚拟四边形内,所述第三子像素沿着两个所述第二子像素的中心连线对称,所述第三子像素沿着两个所述第一子像素的中心连线对称。
7.如权利要求6所述的像素排布结构,其特征在于,在所述第二虚拟四边形内,所述第三子像素与两个所述第一子像素之间的间距相等且为第一间距,所述第三子像素与两个所述第二子像素之间的间距相等且为第二间距,所述第一间距等于第二间距。
8.如权利要求7所述的像素排布结构,其特征在于,在所述第二虚拟四边形内,一个所述第一子像素与两个所述第二子像素之间的间距相等且为第三间距,另一个所述第一子像素与两个所述第二子像素之间的间距相等且为第四间距,所述第四间距大于或等于所述三间距,所述第三间距大于或等于所述第一间距。
9.如权利要求1-8任一项所述的像素排布结构,其特征在于,所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素的形状为多边形;或,所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素的形状为具有倒圆角的多边形。
10.如权利要求9所述的像素排布结构,其特征在于,所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素的形状为四边形、六边形、八边形、具有倒圆角的四边形、具有倒圆角的六边形或具有倒圆角的八边形。
11.如权利要求1-8任一项所述的像素排布结构,其特征在于,所述第一子像素为红色子像素,所述第二子像素为蓝色子像素;或,所述第一子像素为蓝色子像素,所述第二子像素为红色子像素;
所述第三子像素为绿色子像素。
12.如权利要求11所述的像素排布结构,其特征在于,所述第三子像素的面积小于所述第一子像素的面积,且所述第三子像素的面积小于所述第二子像素的面积。
13.一种有机电致发光显示面板,其特征在于,包括如权利要求1-12任一项所述的像素排布结构,其中,相邻的第一虚拟四边形以共用侧边的方式在行方向和列方向排列。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的