[发明专利]液体处理装置有效
申请号: | 201810132808.3 | 申请日: | 2018-02-09 |
公开(公告)号: | CN108417510B | 公开(公告)日: | 2023-06-13 |
发明(设计)人: | 胁山辉史;伊藤规宏 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液体 处理 装置 | ||
本发明提供抑制液体附着于基板的下表面的液体处理装置。实施方式的液体处理装置具备基板保持部、驱动部、轴部及喷嘴。基板保持部水平地保持基板。驱动部在利用基板保持部保持着基板的状态下使基板和基板保持部旋转。轴部包含保持于基板保持部的基板的旋转轴线,其沿旋转轴线的轴向延伸设置,且设置于比基板靠下方的位置。喷嘴朝向基板的下表面喷出液体。另外,喷嘴具备:基部,其安装于轴部的上端;及液体供给部,其从基部向基板的径向外侧延伸设置,并形成朝向基板喷出液体的喷出口。另外,轴部和基部具备排出路径,该排出路径沿轴向形成,排出朝向基板的下表面喷出来的液体。另外,基部具备以液体朝向排出路径流动的方式朝向下方凹陷的凹部。
技术领域
公开的实施方式涉及液体处理装置。
背景技术
以往,公知具有向基板的下表面供给流体的喷嘴单元的液体处理装置(参照例如专利文献1)。
专利文献1:日本特开2007-335868号公报
发明内容
然而,在上述液体处理装置中,朝向基板的下表面喷出来的液体有时残留于喷嘴单元的中心侧的上端面。在该情况下,残留于上端面的液体有可能附着于基板的下表面。
实施方式的一形态的目的在于提供一种抑制朝向基板的下表面喷出来的液体残留于喷嘴单元的中心侧的上端面的液体处理装置。
实施方式的一形态的液体处理装置具备基板保持部、驱动部、轴部、以及喷嘴。基板保持部水平地保持基板。驱动部在利用基板保持部保持着基板的状态下使基板和基板保持部旋转。轴部包含保持于基板保持部的基板的旋转轴线,该轴部沿着旋转轴线的轴向延伸设置,且设置于比基板靠下方的位置。喷嘴朝向基板的下表面喷出液体。另外,喷嘴具备:基部,其安装于轴部的上端;以及液体供给部,其从基部向基板的径向外侧延伸设置,该液体供给部形成朝向基板喷出液体的喷出口。另外,轴部和基部具备排出路径,该排出路径沿着轴向形成,将朝向基板的下表面喷出来的液体排出。另外,基部具备以液体朝向排出路径流动的方式朝向下方凹陷而成的凹部。
根据实施方式的一形态,能够抑制朝向基板的下表面喷出来的液体残留于喷嘴单元的中心侧的上端面。
附图说明
图1是表示本实施方式的基板处理系统的概略结构的图。
图2是表示处理单元的概略结构的图。
图3是表示处理单元的具体的结构的图。
图4是喷嘴的俯视图。
图5是图4的A向视图。
图6是喷嘴的立体图。
图7是喷嘴的分解图。
图8是图6的VIII-VIII剖视图。
图9是将图3中的下表面处理部的一部分放大的示意图。
图10是以侧视表示从第2喷出口喷出的调温液的喷出方向的概略图。
图11是表示从第2喷出口喷出的调温液的喷出方向和晶圆的下表面上的调温液的喷出范围的概略图。
图12是表示本实施方式的基板处理系统所执行的处理的处理顺序的流程图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造