[发明专利]一种基于增强型PHEMT的ESD保护电路在审
| 申请号： | 201810131749.8 | 申请日： | 2018-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN108110746A | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 曹然 | 申请（专利权）人： | 苏州容芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04 |
| 代理公司： | 无锡中瑞知识产权代理有限公司 32259 | 代理人： | 栗星星 |
| 地址： | 215612 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 增强型 漏极 电阻 源极 偏置电路 背靠背 高频率电路 高输入功率 二极管 导通电压 负载电容 偏置电压 芯片焊盘 源极连接 接地 串联 芯片 | ||
1.一种基于增强型PHEMT的ESD保护电路，其特征在于：包括ESD偏置电路和电阻，还包括两个串联连接的增强型PHEMT管T1和T2，所述T1的源极与T2的源极连接，所述T1的漏极连接到需要ESD电路保护的芯片焊盘上，所述T2的漏极接地；
所述ESD偏置电路设置有两个，分别连接在所述T1的漏极和栅极之间和所述T2的栅极和漏极之间；
所述电阻有两个，分别为R1和R2，所述T1的栅极和源极之间连接有电阻R1，所述T2的源极和栅极之间接电阻R2。
2.根据权利要求1述的基于增强型PHEMT的ESD保护电路，其特征在于：所述ESD偏置电路包括至少两个串联连接的二极管，最前端的二极管的P端与增强型PHEMT管的漏极连接，中段部分的二极管的N端连接相邻一个二极管的P端，最尾端的二极管的N端与增强型PHEMT管的栅极连接。
3.根据权利要求1述的基于增强型PHEMT的ESD保护电路，其特征在于：所述ESD偏置电路设置有两个，其中一个ESD偏置电路为两个串联连接的二极管，分别为二极管D1和二极管D2，所述二极管D2的N端与T1的栅极连接，所述二极管D2的P端与二极管D1的N端连接，所述二极管D1的P端与T1的漏极连接；
所述另一个ESD偏置电路为两个串联连接的二极管，分别为二极管M1和二极管M2，所述二极管M1的N端与T2的栅极连接，所述二极管M1的P端与二极管M2的N端连接,所述二极管M2的P端与T2的漏极连接。
4.根据权利要求1述的基于增强型PHEMT的ESD保护电路，其特征在于：所述ESD偏置电路设置有两个，其中一个ESD偏置电路为一个二极管D1，所述二极管D1的N端与T1的栅极连接，所述二极管D1的P端与T1的漏极连接；
所述另一个ESD偏置电路为一个二极管M1，所述二极管M1的N端与T2的栅极连接，所述二极管M1的P端与T2的漏极连接。
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