[发明专利]气体喷射装置、衬底加工设施以及衬底加工方法在审
| 申请号: | 201810126635.4 | 申请日: | 2018-02-07 |
| 公开(公告)号: | CN108573898A | 公开(公告)日: | 2018-09-25 |
| 发明(设计)人: | 池尙炫;金昌敎 | 申请(专利权)人: | AP系统股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马爽;臧建明 |
| 地址: | 韩国京畿道华城市*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 衬底 气体喷射装置 衬底加工 喷嘴 密度分布 喷射气体 喷射控制单元 工艺类型 关闭操作 目标气体 喷射部件 喷嘴喷射 对齐 自动地 加工 | ||
一种气体喷射装置、包括气体喷射装置的衬底加工设施、及使用衬底加工设施来加工衬底的方法。根据本发明实施例的一种气体喷射装置包括:喷射部件,在衬底的宽度方向上设置并对齐在位于所述衬底的外侧的一侧上,且具有多个喷嘴,所述多个喷嘴用于朝所述衬底喷射气体;以及喷射控制单元,用于自动地控制以下中的至少一者:是否多个喷嘴中的每一者均喷射气体,使得通过所述多个喷嘴喷射的所述气体在所述衬底的所述宽度方向上的气体密度分布变为目标气体密度分布类型。因此,根据本发明的实施例,使用多种类型的工艺类型或多种类型的气体密度分布类型使得易于施行所述工艺,且用于调整所述多个喷嘴的开启或关闭操作的时间可缩短。
技术领域
本发明涉及一种气体喷射装置、包括所述装置的衬底加工设施、及使用所述设施来加工 衬底的方法,且更具体来说涉及一种能够轻易地控制衬底上的气体密度分布的气体喷射装置、 包括所述装置的衬底加工设施、及使用所述设施来加工衬底的方法。
背景技术
使用工艺气体来加工衬底的衬底加工装置大体包括:腔室,具有内部空间;平台,设置 在所述腔室中且将所述衬底安放在所述平台的上部部分上;发光单元,被定位成面对平台的 上侧并发射光以对安放在所述平台上的衬底执行热处理;以及多个喷嘴,在一个方向上对齐 及设置以对应于衬底的延伸方向且从平台的上侧朝所述衬底喷射气体。
同时,根据所要执行的衬底加工工艺,在衬底的延伸方向上从所述衬底的上侧开始的气 体密度分布可为不同的。举例来说,衬底的边缘区中的气体密度可低于所述衬底的中心区中 的气体密度,或者相反,所述衬底的边缘的气体密度可高于所述衬底的中心区的气体密度。 为控制此种气体密度分布,应将多个喷嘴中的一些喷嘴打开以喷射气体,且应将一些喷嘴关 断以不喷射气体。
然而,在现有技术中,存在工艺切换效率及生产率由于根据所要加工的工艺类型对多个 喷嘴中的每一者进行手动打开及关断控制而降低的问题。
[现有技术文献]
[专利文献]
(专利文献1)韩国专利申请公开第10-2016-0122523号
发明内容
本发明提供一种能够轻易地控制气体密度分布的气体喷射装置、包括所述装置的衬底加 工设施、及使用所述设施来加工衬底的方法。
根据示例性实施例,一种气体喷射装置包括:喷射部件,在衬底的宽度方向上对齐并设 置在位于所述衬底的外侧的一侧上,且具有多个喷嘴,所述多个喷嘴朝所述衬底喷射气体; 喷射控制单元,被配置成自动地控制以下中的至少一者:是否所述多个喷嘴中的每一者均喷 射气体,以及使得通过所述多个喷嘴喷射的所述气体在所述衬底的所述宽度方向上的气体密 度分布变为目标气体密度分布。
在实施例中,所述喷射控制单元可包括:气体密度分布类型存储部件,被配置成存储不 同的气体密度分布类型;喷射类型存储部件,被配置成存储能够实现所述多个气体密度分布 类型中的每一者的多个喷射控制类型;以及喷射控制部件,根据所要执行的衬底工艺,被配 置成选择所述气体密度分布类型存储部件中的所述气体密度分布类型中的一者、以及选择所 述喷射类型存储部件中的一个喷射控制类型以使得实现所选择的所述气体密度分布类型,且 控制所述喷射部件的操作以进行控制来使得所述喷射部件变为所选择的所述喷射控制类型。
在实施例中,所述喷射控制单元可包括存储多个不同工艺类型的工艺类型存储部件,且 所述喷射控制部件可选择所述工艺类型存储部件中的工艺类型中的任一者并可选择所述气体 密度分布类型存储部件中的所述气体密度分布类型中的任一者以执行所选择的所述工艺类 型。
在实施例中,所述喷射部件可包括:喷射区块,设置在位于所述衬底的外侧的一侧上, 通过在所述衬底的所述宽度方向上延伸而形成,且所述多个喷嘴设置在所述喷射区块中;多 个供应管道,被配置成将气体分别供应到所述多个喷嘴中的每一者;以及喷射阀门,安装在 所述多个供应管道中的每一者上,以控制所述供应管道与所述喷嘴之间的连通、以及气体量。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





