[发明专利]一种半导体激光器的生产方法

权利要求书

1.一种半导体激光器的生产方法，其特征在于，包括步骤如下：

1)制作激光器基底，在所述激光器基底的表面蒸镀金属导电层；

2)在激光器基底表面涂光刻胶，使用光刻板曝光，得到均匀排列的横向槽和纵向槽；

3)光刻胶显影；去掉横向槽和纵向槽中的光刻胶，其他区域光刻胶保护；

4)去掉横向槽和纵向槽内的金属导电层；刻蚀横向槽和纵向槽内的激光器基底，刻蚀深度≥10um；

5)清洗激光器基底，将P面朝下的激光器芯片封装到激光器基底上，激光器芯片的出光面探出横向槽下侧边0～10um，激光器芯片的右侧边在纵向槽左侧边的内侧10～50um；

6)在激光器基底表面涂光刻胶，通过光刻板曝光，得到长方形区域；所述长方形区域的左侧边跨过激光器芯片右侧边30～50um，长方形区域的右侧边跨过所述纵向槽的右侧边30～50um；长方形区域的上侧边在激光器芯片上侧边内侧30～50um，长方形区域的下侧边在激光器芯片下侧边内侧30～50um；显影后，激光器基底表面长方形区域外的区域光刻胶保护；

7)在激光器基底表面生长绝缘膜，厚度≥0.02um，生长后剥离表面光刻胶，仅在所述长方形区域内保留绝缘膜；

8)在激光器基底表面涂光刻胶，通过光刻板曝光，得到长方形蒸镀金属区，长方形蒸镀金属区的左侧边与激光器芯片的左侧边距离≥30um，长方形蒸镀金属区的右侧边跨过所述纵向槽的左侧边100um～500um；显影后所述长方形蒸镀金属区内没有光刻胶保护；

9)在激光器基底表面蒸镀金属层，金属层厚度≥0.5um，蒸镀金属层后将光刻胶剥离去除；

10)切割得到单个激光器芯片；以所述纵向槽为边界，纵向槽的左侧为激光器芯片正电极，纵向槽的右侧为激光器芯片负电极。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器的生产方法，其特征在于，所述步骤1)中的激光器基底为绝缘材料；所述激光器基底为圆形，直径为2英寸～4英寸，厚度为200～400um；所述金属导电层的厚度为1～4um。

3.根据权利要求1所述的半导体激光器的生产方法，其特征在于，所述步骤2)中，所述横向槽的宽度为30～40um，所述纵向槽的宽度为10～50um，横向槽之间的间隔为2～3mm，纵向槽之间的间隔为2～3mm。

4.根据权利要求1所述的半导体激光器的生产方法，其特征在于，所述步骤4)中，横向槽和纵向槽内的金属导电层通过化学腐蚀的方法去除；通过ICP刻蚀工艺刻蚀横向槽和纵向槽内的激光器基底。

5.根据权利要求1所述的半导体激光器的生产方法，其特征在于，所述步骤5)中，将P面朝下的激光器芯片用铟或银浆封装到激光器基底上。

6.根据权利要求1所述的半导体激光器的生产方法，其特征在于，所述步骤7)中，所述绝缘膜的材质为SiO₂、氮化硅、Al₂O₃或氧化钛。

7.根据权利要求1所述的半导体激光器的生产方法，其特征在于，所述步骤10)中，横向切割在所述横向槽的中间位置，纵向切割在长方形蒸镀金属区域的边缘处。