[发明专利]一种匀相超临界浓度控制结构

说明书

一种匀相超临界浓度控制结构，包括反应腔体、控制容器；反应腔体用于进行超临界处理，反应腔体内注入有溶质；控制容器部分或整体置于反应腔体内，控制容器内装有溶质，溶质上覆盖有有机层，所述有机层可对控制容器中的溶质吸附与解吸附。由于控制容器内上表层的有机层可对溶质进行吸附和解吸附，当反应过程中反应腔体内的溶质被消耗后，溶质浓度下降，有机层表面对溶质会解吸附，使反应腔体中浓度上升，控制反应腔体中的浓度稳。当反应腔体中溶质浓度上升时，有机层表面会对溶质产生吸附作用，使反应腔体中浓度下降，从而控制反应腔体中的浓度稳定。

技术领域

本申请涉及超临界处理技术领域，具体涉及一种匀相超临界浓度控制结构。

背景技术

系统中各个部分的性质都相同的体系就叫均相系统，如碳酸钠水溶液、氯化钠水溶液等，其拥有均匀的物理与化学性质。

二氧化碳进入超临界态的温度和压强分别是31℃和1072psi，相比于其它物质所需的温度和压强，这个条件比较容易达到。通过二氧化碳进入超临界状态后，溶解其它的物质，控制其形成匀相系统，则能够使该物质也进入超临界状态，从而通过利用不同物质在超临界状态的不同属性，达到不同的功效。

在使用超临界技术对产品进行处理时，随着反应的进行溶质被逐渐消耗，溶质浓度会下降，导致反应速度与反应效果受影响，破坏匀相系统。

发明内容

本申请提供一种匀相超临界浓度控制结构，使超临界溶解过程中保持匀相状态和保持溶质的浓度稳定。

根据第一方面，一种实施例中提供一种匀相超临界浓度控制结构,包括反应腔体、控制容器；反应腔体用于进行超临界处理，反应腔体内注入有溶质；控制容器部分或整体置于反应腔体内，控制容器内装有溶质，溶质上覆盖有有机层，所述有机层可对控制容器中的溶质吸附与解吸附。

优选地，所述的有机层的基础材料是氧化铝与二氧化硅的多孔性混合物，在混合物的多孔中含有有机聚合物。

优选地，所述溶质为水、氢气、硫化氢、氨气。

依据上述实施例的匀相超临界浓度控制结构，由于控制容器内上表层的有机层可对溶质进行吸附和解吸附，当反应过程中反应腔体内的溶质被消耗后，溶质浓度下降，有机层表面对溶质会解吸附，使反应腔体中浓度上升，控制反应腔体中的浓度稳，有机层再从下层的溶质吸附补充。当反应腔体中溶质浓度上升时，有机层表面会对溶质产生吸附作用，使反应腔体中浓度下降，从而控制反应腔体中的浓度稳定。

附图说明

图1为本发明一实施例结构示意。

具体实施方式

下面通过具体实施方式结合附图对本发明作进一步详细说明。其中不同实施方式中类似元件采用了相关联的类似的元件标号。在以下的实施方式中，很多细节描述是为了使得本申请能被更好的理解。然而，本领域技术人员可以毫不费力的认识到，其中部分特征在不同情况下是可以省略的，或者可以由其他元件、材料、方法所替代。在某些情况下，本申请相关的一些操作并没有在说明书中显示或者描述，这是为了避免本申请的核心部分被过多的描述所淹没，而对于本领域技术人员而言，详细描述这些相关操作并不是必要的，他们根据说明书中的描述以及本领域的一般技术知识即可完整了解相关操作。

本文中为部件所编序号本身，例如“第一”、“第二”等，仅用于区分所描述的对象，不具有任何顺序或技术含义。而本申请所说“连接”、“联接”，如无特别说明，均包括直接和间接连接(联接)。

请参考图1，匀相超临界浓度控制结构反应腔体1、控制容器2；

反应腔体1用于进行超临界处理，反应腔体内注入有溶质；

控制容器2置于反应腔体1内，控制容器2内装有溶质21，溶质上覆盖有有机层22，有机层22可对控制容器中的溶质21吸附与解吸附。