[发明专利]电源采样电路及包括其的零功耗上电复位电路在审

专利信息
申请号: 201810121063.0 申请日: 2018-02-07
公开(公告)号: CN108418573A 公开(公告)日: 2018-08-17
发明(设计)人: 罗杰;鲁华祥;杨文轩;李文昌;王彦虎 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所;中国科学院大学
主分类号: H03K17/22 分类号: H03K17/22
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 漏极 电源采样电路 电容 第一端 上电复位电路 源极连接 零功耗 电阻 依赖度 上电 源极 电源
【权利要求书】:

1.一种电源采样电路,包括:

第一NMOS,其栅极与其自身的源极连接;

第一PMOS,其栅极与其自身的漏极连接,且其漏极同时与所述第一NMOS的漏极连接;

第一电阻,其第一端与所述第一PMOS的源极连接;

第一电容,其第一端与所述第一NMOS的源极连接,其第二端与所述第一PMOS的漏极连接;

第二NMOS,其源极与所述第一电容的第一端连接,其栅极与所述第一电容的第二端连接;以及

第二电容,其第一端与所述第二NMOS的漏极连接,其第二端与所述第一电阻的第二端连接。

2.根据权利要求1所述的电源采样电路,其中,所述第一NMOS的栅极接地。

3.一种零功耗上电复位电路,其包括权利要求1或2所述的电源采样电路,还包括,POR状态翻转电路,与所述电源采样电路连接。

4.根据权利要求3所述的零功耗上电复位电路,其中,所述POR状态翻转电路包括:第三NMOS、第四NMOS、第二PMOS、第三PMOS、第五NMOS以及第三电容;其中,

所述第三NMOS的栅极与第四NMOS的漏极连接,第三NMOS的漏极与第四NMOS的栅极连接,第三NMOS的源极与第四NMOS的源极连接;

所述第二PMOS的栅极和第三PMOS的漏极连接,第二PMOS的漏极和第三PMOS的栅极连接,第二PMOS的源极和第三PMOS的源极连接;

第五NMOS的栅极和源极同时与所述第四NMOS的源极连接,第五NMOS的漏极与所述第四NMOS的漏极连接;以及

第三电容的第一端与所述第五NMOS的源极连接,第三电容的第二端与所述第五NMOS的漏极连接。

5.根据权利要求4所述的零功耗上电复位电路,其中,所述POR状态翻转电路的第三NMOS的源极与所述电源采样电路的第二NMOS的源极连接;所述POR状态翻转电路的第二PMOS的源极与所述电源采样电路的第二电容的第二端连接。

6.根据权利要求5所述的零功耗上电复位电路,还包括:输出驱动电路,所述输出驱动电路与所述POR状态翻转电路连接。

7.根据权利要求6所述的零功耗上电复位电路,其中,所述输出驱动电路包括:第六NMOS、第七NMOS、第四PMOS以及第五PMOS;其中,所述第六NMOS的源极与所述第七NMOS的源极连接,第四PMOS的源极与所述第五PMOS的源极连接,所述第六NMOS的栅极与所述第四PMOS的栅极连接,所述第六NMOS的漏极与所述第四PMOS的漏极连接,所述第七NMOS的栅极与所述第五PMOS的栅极连接,所述第七NMOS的漏极与所述第五PMOS的漏极连接。

8.根据权利要求7所述的零功耗上电复位电路,其中,所述输出驱动电路的第六NMOS的源极与所述POR状态翻转电路的第三电容的第一端连接,所述输出驱动电路的第六NMOS的栅极与所述POR状态翻转电路的第三电容的第二端连接,所述输出驱动电路的所述第四PMOS的源极与所述POR状态翻转电路的第三PMOS的源极连接。

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