[发明专利]图形优化方法及掩膜版制备方法有效
| 申请号: | 201810119511.3 | 申请日: | 2018-02-06 |
| 公开(公告)号: | CN110119063B | 公开(公告)日: | 2023-02-10 |
| 发明(设计)人: | 王健;杜杳隽;温永明 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
| 代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
| 地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 图形 优化 方法 掩膜版 制备 | ||
1.一种图形优化方法,其特征在于,包括:
提供待优化图形,所述待优化图形包括第一图形和第二图形,所述第一图形和第二图形的大小不相同,所述第一图形的可调整性小于所述第二图形的可调整性;
以所述第一图形的目标图形为目标,对所述第一图形和第二图形进行OPC处理,缩小所述第一图形和第二图形各自的宽度,获得初步的第一图形和初步的第二图形;以及
以所述第二图形的目标图形为目标,对所述初步的第二图形进行OPC处理,增大所述初步的第二图形的宽度,进而对所述初步的第一图形进行OPC处理,缩小所述初步的第一图形的宽度,获得最终的第一图形和最终的第二图形,所述最终的第一图形的宽度大于掩膜版的最小尺寸。
2.如权利要求1所述的图形优化方法,其特征在于,所述待优化图形包括多个间隔且重复排列的第一图形和第二图形。
3.如权利要求1所述的图形优化方法,其特征在于,所述第一图形为有源区上结构的图形。
4.如权利要求3所述的图形优化方法,其特征在于,所述第一图形为栅极图形。
5.如权利要求1所述的图形优化方法,其特征在于,所述初步的第一图形在曝光后符合标准。
6.如权利要求1所述的图形优化方法,其特征在于,对所述第一图形和第二图形进行OPC处理,缩小所述第一图形和第二图形各自的宽度,获得初步的第一图形和初步的第二图形的过程包括:
将宽度小于所述第一图形和第二图形的辅助图形添加至所述第一图形和第二图形中,获得初步的图形边界,以所述初步的图形边界构成所述初步的第一图形和初步的第二图形。
7.如权利要求6所述的图形优化方法,其特征在于,对所述初步的第二图形进行OPC处理,同时对所述初步的第一图形进行OPC处理,获得最终的第一图形和最终的第二图形的过程包括:
通过在初步的第二图形中调整辅助图形的位置或新增辅助图形,以增大所述初步的第二图形的宽度;通过在初步的第一图形中调整辅助图形的位置或新增辅助图形,以缩小所述初步的第一图形的宽度;进行一次以上的上述过程以获得最终的第一图形边界和最终的第二图形边界;以所述最终的第一图形边界为基准将所述辅助图形和所述第一图形拟合为所述最终的第一图形;以所述最终的第二图形边界为基准将所述辅助图形和所述第二图形拟合为所述最终的第二图形。
8.如权利要求1所述的图形优化方法,其特征在于,所述第一图形和第二图形皆呈矩形。
9.如权利要求8所述的图形优化方法,其特征在于,所述OPC处理还包括对待优化图形端部的扩展。
10.如权利要求1所述的图形优化方法,其特征在于,对所述初步的第一图形进行OPC处理的可调节范围为1nm~10nm。
11.一种掩膜版制造方法,其特征在于,利用如权利要求1-10中任一项所述的图形优化方法。
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