[发明专利]基于超材料的太赫兹带阻滤波器单元及太赫兹带阻滤波器

权利要求书

1.一种基于超材料的太赫兹带阻滤波器单元，其特征在于，包括第一谐振器、第一介质层及第二谐振器；所述第一谐振器、所述第一介质层及所述第二谐振器依次层叠设置；所述第一谐振器为卍或卐字形片状结构，所述第二谐振器为卍或卐字形片状结构；所述第一谐振器与所述第二谐振器的结构相同，所述第一谐振器与所述第二谐振器的尺寸呈放缩比例关系。

2.根据权利要求1所述的太赫兹带阻滤波器单元，其特征在于，所述放缩比例范围为0.85至0.95。

3.根据权利要求1所述的太赫兹带阻滤波器单元，其特征在于，所述第一介质层层叠于所述第一谐振器与所述第二谐振器之间，所述第一谐振器与所述第二谐振器对应的边均平行设置。

4.根据权利要求3所述的太赫兹带阻滤波器单元，其特征在于，所述第一谐振器沿长度方向上的轴线在与所述第二谐振器上的投影、与所述第二谐振器沿长度方向上的轴线重叠。

5.根据权利要求1所述的太赫兹带阻滤波器单元，其特征在于，所述太赫兹带阻滤波器还包括第二介质层和第三谐振器；所述第一谐振器、所述第一介质层、所述第二谐振器、所述第二介质层及所述第三谐振器依次层叠设置；所述第一谐振器沿长度方向上的轴线及所述第二谐振器沿长度方向上的轴线在与所述第三谐振器上的投影、与所述第三谐振器沿长度方向上的轴线重叠。

6.根据权利要求4所述的太赫兹带阻滤波器单元，其特征在于，所述第二介质层层叠于所述第二谐振器与所述第三谐振器之间，所述第一谐振器、所述第二谐振器与所述第三谐振器对应的边均平行设置，且所述第一谐振器、所述第二谐振器及所述第三谐振器的中心在一条直线上。

7.根据权利要求4所述的太赫兹带阻滤波器单元，其特征在于，所述第一谐振器、所述第二谐振器及所述第三谐振器的厚度均处于0.4微米至0.6微米之间。

8.根据权利要求1所述的太赫兹带阻滤波器单元，其特征在于，所述第一谐振器的卍字形片状结构包括十字形主体结构和四个短一字形自由端；所述十字形主体结构包括两个相互交叉的长一字形结构，所述两个长一字形结构相互交叉后形成四个连接端，所述四个短一字形自由端以顺时针或逆时针的方向一一对应抵接于所述十字形主体结构的四个连接端上。

9.根据权利要求1所述的太赫兹带阻滤波器单元，其特征在于，所述十字形主体结构的长一字形结构的长度范围处于98微米至102微米之间，所述四个短一字形自由端的长度范围为38微米至42微米；所述长一字形结构的宽度与所述短一字形结构的宽度相等，厚度也相等。

10.一种太赫兹带阻滤波器，其特征在于，包括权利要求1-9中任一项权利要求所述的太赫兹带阻滤波器单元，所述太赫兹带阻滤波器单元呈M*N阵列排布，其中，M≥1，N≥1。