[发明专利]熔断式印刷存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种熔断式印刷存储器，其特征在于，包括衬底和位于衬底表面的至少一个熔断式器件；其中，所述熔断式器件包括：

熔断功能材料层，设置于所述衬底表面，且所述熔断功能材料层采用具有纳米线结构的导电材料制造而成；

多个电极，设置于所述熔断功能材料层表面，相邻电极之间具有一间隙，由所述间隙暴露的所述熔断功能材料层构成熔断功能区；

隔热封装层，置于所述间隙中、且覆盖所述熔断功能区。

2.根据权利要求1所述的熔断式印刷存储器，其特征在于，所述衬底的材料为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚酰亚胺。

3.根据权利要求1所述的熔断式印刷存储器，其特征在于，相邻电极之间的间隙宽度为100μm～1000μm。

4.根据权利要求1所述的熔断式印刷存储器，其特征在于，具有纳米线结构的导电材料为银纳米线、铜纳米线、金纳米线或镍纳米线。

5.根据权利要求1所述的熔断式印刷存储器，其特征在于，所述隔热封装层的材料为聚四氟乙烯、聚苯乙烯或聚氨酯。

6.根据权利要求1所述的熔断式印刷存储器，其特征在于，至少一个熔断式器件包括多个熔断式器件，且多个熔断式器件在所述衬底表面呈阵列排布。

7.根据权利要求6所述的熔断式印刷存储器，其特征在于，还包括图形化的绝缘隔离层；所述绝缘隔离层中具有多个相互平行的沟道，所述沟道用于容纳熔断式器件，以实现相邻沟道中熔断式器件的相互隔离。

8.根据权利要求7所述的熔断式印刷存储器，其特征在于，所述绝缘隔离层包括多条相互平行的绝缘隔离带，相邻绝缘隔离带之间形成一宽度为100μm～1000μm沟道。

9.一种熔断式印刷存储器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一衬底；

采用线棒涂布工艺将纳米线导电材料溶液涂布至所述衬底表面，以形成熔断功能材料层；

在所述熔断功能材料层表面制备多个电极，相邻电极之间具有一间隙，并由所述间隙暴露的所述熔断功能材料层构成熔断功能区；

在所述间隙中形成一覆盖所述熔断功能区的隔热封装层。

10.根据权利要求9所述的熔断式印刷存储器的制备方法，其特征在于，还包括如下步骤：

在所述衬底表面形成一图形化的绝缘隔离层，所述绝缘隔离层中具有多个相互平行的沟道；

采用线棒涂布工艺将纳米线导电材料溶液涂布至所述沟道中，以于所述沟道中形成熔断功能材料层。