[发明专利]一种基于碘化亚铜的透明薄膜晶体管及制备方法

权利要求书

1.一种基于碘化亚铜的透明薄膜晶体管，其特征在于，该晶体管以碘化亚铜作为有源层，所述的碘化亚铜采用热蒸发法沉积，且在沉积后经水蒸气退火处理；所述的水蒸气退火处理具体为：将样品放入可加热加湿的气体传送装置中，首先通入纯惰性气体赶尽空气，再通入惰性气体和水蒸气的混合气体，其中水蒸气的体积比例为55%-88%，200℃至350℃处理5-10分钟，停止加温后停止通入水蒸气，自然降温至50℃以下后停止通入惰性气体。

2.根据权利要求1所述的基于碘化亚铜的透明薄膜晶体管，其特征在于，所述的热蒸发法具体为：称取碘化亚铜颗粒置于蒸发装置的钨舟上；抽真空至蒸发装置内的气压为3×10^-3Pa以下，再使样品盘均匀旋转，调节蒸发设备的加热电流为90A-120A，加热钨舟1到2分钟。

3.根据权利要求2所述的基于碘化亚铜的透明薄膜晶体管，其特征在于，所述的碘化亚铜颗粒的纯度不低于99.998%。

4.根据权利要求1所述的基于碘化亚铜的透明薄膜晶体管，其特征在于，所述的基于碘化亚铜的透明薄膜晶体管采用顶栅结构，包括衬底、设于衬底上的源/漏电极、设于源漏电极间的有源层、设于有源层上并将有源区完全覆盖的保护层、顶栅、以及设置于顶栅与保护层之间的绝缘层，该绝缘层完全覆盖保护层。

5.制备如权利要求1所述的基于碘化亚铜的透明薄膜晶体管的方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）在衬底上沉积透明导电薄膜，并刻蚀形成源漏区；

（2）在步骤（1）得到的结构上旋涂光刻胶，光刻出有源区的形状，通过热蒸法沉积碘化亚铜层，剥离形成有源层；

（3）将剥离好的样品进行水蒸气退火处理；

（4）在步骤（3）得到的结构上沉积沟道保护层，该保护层完全覆盖有源区；

（5）在步骤（4）得到的结构上沉积绝缘层，该绝缘层完全覆盖保护层；

（6）在器件顶部沉积一层导电引线层作为器件栅极，得到基于碘化亚铜的透明薄膜晶体管。

6.根据权利要求5所述的所述的基于碘化亚铜的透明薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述的保护层采用氧化铝薄膜。

7.根据权利要求5所述的所述的基于碘化亚铜的透明薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述的绝缘层采用氧化铝薄膜。

8.根据权利要求5所述的基于碘化亚铜的透明薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述的碘化亚铜层厚度为20nm到200nm。