[发明专利]参考电压产生器

说明书

本发明提供了一种参考电压产生器，该参考电压产生器包含一定电压产生电路、一放大器、一二极管单元及一晶体管。该定电压产生电路包含一输出端用以输出一参考电压，一第一端具有一第一操作电压，及一第二端。该放大器包含一输入端耦接于该定电压产生电路的该第一端，一输出端，一第一端耦接于一第一电压端，及一第二端。该二极管单元包含一第一端耦接于该放大器的该第二端，及一第二端耦接于该定电压产生电路的该第二端及一第二电压端。该晶体管包含一第一端耦接于该放大器的该第一端，一第二端耦接于该定电压产生电路的该输出端，及一控制端耦接于该放大器的该输出端。

技术领域

本发明涉及一种参考电压产生器，尤其涉及一种可提供实质上不受温度影响的定电压的参考电压产生器。

背景技术

电路应用领域常有参考电压供应的需求，常见的解决方案可例如为使用带隙电压(bandgap voltage)产生器等参考电压产生电路，以提供参考电压。然而，现有技术中的参考电压产生电路中，控制电压须低至例如1.2伏特，再使用运算放大器(operationalamplifier)放大此1.2伏特的电压，从而得到3.3伏特的参考电压。此架构须使用运算放大器，而运算放大器包含的补偿电容将使电路面积不易缩减。此外，现有技术中的参考电压产生电路，常有电源抑制比(power supply rejection ratio，PSRR)难以改善的情况，换言之，其所提供的参考电压容易受到供应电源的噪声影响。现有技术中的参考电压产生电路亦有工艺(process)上的限制，例如难以使用砷化镓(GaAs)异质结双极型晶体管(Heterojunction Bipolar Transistor，HBT)工艺制造。举例而言，现有技术中的参考电压产生电路常须包含P型金氧半晶体管构成的电流源，又包含N型金氧半晶体管构成的电路，故不易使用砷化镓工艺制造。

发明内容

本发明实施例提供一种参考电压产生器包含一第一电阻、一第一晶体管、一第二晶体管、一第三晶体管、一第四晶体管、一第二电阻、一第三电阻、一第四电阻、一第五晶体管、一二极管单元及一第六晶体管。该第一电阻包含一第一端，及一第二端。该第一晶体管包含一第一端，一第二端耦接于该第一电阻的该第二端，及一控制端耦接于一操作节点。该第二晶体管包含一第一端，一第二端耦接于该第一电阻的该第一端，及一控制端耦接于该操作节点。该第三晶体管包含一第一端，一第二端耦接于该第一晶体管的该第一端，及一控制端耦接于该第三晶体管的该第一端。该第四晶体管包含一第一端，一第二端耦接于该第二晶体管的该第一端，及一控制端耦接于第三晶体管的该控制端。该第二电阻包含一第一端耦接于一输出端，用以输出一参考电压，及一第二端耦接于该第四晶体管的该第一端。该第三电阻包含一第一端耦接于该第二电阻的该第一端，及一第二端耦接于该第三晶体管的该第一端。该第四电阻包含一第一端及一第二端。该第五晶体管包含一第一端耦接于该第四电阻的该第二端，一第二端，及一控制端耦接于该第四晶体管的该第一端。该二极管单元包含一第一端耦接于该第五晶体管的该第二端，及一第二端耦接于该第一电阻的该第二端。该第六晶体管包含一第一端耦接于该第四电阻的该第一端，一第二端耦接于该第二电阻的该第一端，及一控制端耦接于该第四电阻的该第二端。该操作节点耦接于该第一晶体管的该第一端或该第二晶体管的该第一端。

本发明另一实施例提供一种参考电压产生器，包含一定电压产生电路、一放大器、一二极管单元及一晶体管。该定电压产生电路包含一输出端用以输出一参考电压，一第一端具有一第一操作电压，及一第二端。该放大器包含一输入端耦接于该定电压产生电路的该第一端，一输出端，一第一端耦接于一第一电压端，及一第二端。该二极管单元包含一第一端耦接于该放大器的该第二端，及一第二端耦接于该定电压产生电路的该第二端及一第二电压端。该晶体管包含一第一端耦接于该放大器的该第一端，一第二端耦接于该定电压产生电路的该输出端，及一控制端耦接于该放大器的该输出端。