[发明专利]包含非离子表面活性剂和碳酸盐的化学机械抛光组合物

权利要求书

1.化学机械抛光(CMP)组合物(Q)，包含：

(A)茧状二氧化硅颗粒，

(B)非离子表面活性剂，

(C)碳酸盐或碳酸氢盐，其量基于组合物(Q)的总重量为0.001-1重量％，

(D)醇，

(G)作为螯合剂的对苯二甲酸，和

(M)含水介质，并且

非离子表面活性剂(B)为两亲性非离子聚氧化乙烯-聚氧化丙烯烷基醚表面活性剂，其为平均含有具有10-16个碳原子的烷基以及无规分布的5-20个氧化乙烯单体单元(b21)和2-8个氧化丙烯单体单元(b22)的分子的混合物。

2.根据权利要求1的CMP组合物，其中所述醇(D)为具有至少两个在含水介质中不可离解的羟基的醇。

3.根据权利要求1或2的CMP组合物，其中CMP组合物(Q)进一步包含(E)氧化剂。

4.根据权利要求1-3中任一项的CMP组合物，其中CMP组合物(Q)进一步包含(F)缓蚀剂。

5.根据权利要求1-4中任一项的CMP组合物，其中碳酸盐(C)为碱金属碳酸盐或碱金属碳酸氢盐。

6.根据权利要求1-5中任一项的CMP组合物，其中组合物的pH值为8-12。

7.根据权利要求1-6中任一项的CMP组合物，其中CMP组合物(Q)包含：

(A)茧状二氧化硅颗粒，

(B)两亲性非离子聚氧化乙烯-聚氧化丙烯烷基醚表面活性剂，其为平均含有具有10-16个碳原子的烷基以及无规分布的5-20个氧化乙烯单体单元(b21)和2-8个氧化丙烯单体单元(b22)的分子的混合物，

(C)碱金属碳酸盐或碱金属碳酸氢盐，其量基于组合物(Q)的总重量为0.001-1重量％，

(D)具有至少两个在含水介质中不可离解的羟基的醇，

(E)氧化剂，

(F)缓蚀剂，

(G)作为螯合剂的对苯二甲酸，和

(M)含水介质。

8.一种制备半导体装置的方法，所述方法包括在如权利要求1-7中任一项定义的CMP组合物存在下将在半导体工业中使用的基底(S)化学机械抛光。

9.如权利要求1-8中任一项定义的CMP组合物在化学机械抛光在半导体工业中使用的基底(S)中的用途。

10.根据权利要求9的用途，其中基底(S)包括：

(i)铜，和/或

(ii)钽、氮化钽、钛、氮化钛、钌、钴或其合金。