[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法

说明书

本发明实施例公开了一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括：提供衬底基板；在衬底基板上沉积第一金属层，并图案化形成栅极、第一存储电极；沉积栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖栅极、第一存储电极；沉积金属氧化物半导体层，并图案化形成金属氧化物有源层；沉积第二绝缘层，并图案化形成蚀刻阻挡层；沉积第二金属层，并图案化形成源极、漏极、第二存储电极，所述第一存储电极、第二存储电极为存储电容的两个电极；沉积第三绝缘层，并图案化形成钝化层；沉积第三金属层，并图案化形成像素电极。本发明实施例还公开了一种薄膜晶体管阵列基板。采用本发明，具有减少制造薄膜晶体管阵列基板所需要的光罩的数目的优点。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。

背景技术

现有的一种薄膜晶体管阵列基板，请参见图1，所述薄膜晶体管阵列基板包括：衬底基板110、缓冲层120、栅极131、第一存储电极132、栅极绝缘层140、金属氧化物有源层150、蚀刻阻挡层160、源极171、漏极172、第二存储电极173、钝化层180和像素电极190，其中，所述栅极绝缘层140在对应第一存储电极132处设有存储贯通孔，所述第一存储电极132、蚀刻阻挡层160和第二存储电极173形成存储电容。

在上述的结构中，形成栅极131、第一存储电极132需要一道光罩，形成栅极绝缘层140需要一道光罩，形成金属氧化物有源层150需要一道光罩，形成蚀刻阻挡层160需要一道光罩，形成源极171、漏极172、第二存储电极173需要一道光罩，形成钝化层180需要一道光罩，形成像素电极190需要一道光罩，从而，形成整个薄膜晶体管阵列基板需要多达7道光罩，导致需要光罩数目较多，成本较高，制程也复杂。

发明内容

本发明实施例所要解决的技术问题在于，提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。可减少制造薄膜晶体管阵列基板所需要的光罩的数目。

为了解决上述技术问题，本发明第一方面实施例提供了一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括：

提供衬底基板；

在衬底基板上沉积第一金属层，并图案化形成栅极、第一存储电极；

沉积栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖栅极、第一存储电极；

沉积金属氧化物半导体层，并图案化形成金属氧化物有源层；

沉积第二绝缘层，并图案化形成蚀刻阻挡层；

沉积第二金属层，并图案化形成源极、漏极、第二存储电极，所述第一存储电极、第二存储电极为存储电容的两个电极；

沉积第三绝缘层，并图案化形成钝化层；

沉积第三金属层，并图案化形成像素电极。

在本发明第一方面一实施例中，所述沉积栅极绝缘层的步骤具体为：在高温条件下沉积栅极绝缘层。

在本发明第一方面一实施例中，所述第一存储电极、栅极绝缘层、第二存储电极共同形成所述存储电容。

在本发明第一方面一实施例中，所述蚀刻阻挡层对应第一存储电极处形成存储贯通孔，所述存储贯通孔还向下延伸进入到部分栅极绝缘层。

在本发明第一方面一实施例中，所述高温的范围为大于300℃。

在本发明第一方面一实施例中，所述栅极绝缘层的厚度为

在本发明第一方面一实施例中，所述沉积第二绝缘层的步骤具体为：在低温条件下通过PECVD工艺沉积第二绝缘层。

在本发明第一方面一实施例中，所述第二绝缘层的厚度为

本发明第二方面实施例提供了一种薄膜晶体管阵列基板，包括：

衬底基板；