[发明专利]直拉法硅棒生产过程中快速收尾方法有效
申请号: | 201810109552.4 | 申请日: | 2018-02-05 |
公开(公告)号: | CN108660507B | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | 潘连胜;秦朗;何翠翠 | 申请(专利权)人: | 锦州神工半导体股份有限公司 |
主分类号: | C30B15/22 | 分类号: | C30B15/22 |
代理公司: | 锦州辽西专利事务所(普通合伙) 21225 | 代理人: | 李辉 |
地址: | 121016 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 直拉法硅棒 生产过程 快速 收尾 方法 | ||
1.一种直拉法硅棒生产过程中快速收尾方法,其特征是:步骤如下:
步骤1:将一定重量的硅晶体原料加入到坩埚中融化,形成稳定流动的熔体;
步骤2:进行引细径操作,晶体直径为3-5mm、长度为200-300mm;
步骤3:进行放大,达到目标直径时,进行等径操作,直至晶体重量达到设定目标值时即坩埚内残留重量为总投料量的4%-15%,进入下一步操作;
步骤4:进行收尾操作,通入氩气,控制压力为1-10KPa,设置:0.5rpm<晶转≤10rpm,埚转设置为0-15rpm,对晶体的生长速度和坩埚上升速度进行以下控制:
步骤4.1 晶体生长速度为0.15-0.55mm/min,坩埚上升速度为晶体生长速度的0.1-0.2倍,生长时间1-8min,晶体长度L=0.15-6mm;
步骤4.2 晶体生长速度为0.05-0.25mm/min,坩埚上升速度为晶体生长速度的0.15-0.3倍,生长时间1-6min,晶体长度L=0.05-2.7mm;
步骤4.3 晶体生长速度为0.1-0.40mm/min,坩埚上升速度为晶体生长速度的0.2-0.4倍,晶体生长时间1-10min,晶体长度L=0.1-5.5mm;
步骤4.4 晶体生长速度设为0.15-0.55mm/min,坩埚上升速度为晶体生长速度的0.2-0.3倍,晶体生长时间1-8min,晶体长度L=0.15-6mm;
步骤4.5 晶体生长速度为0.1-0.40mm/min,坩埚上升速度为晶体生长速度的0.02-0.03倍,晶体生长时间1-10min,晶体长度L=0.1-5.5mm;
步骤4.6 晶体生长速度为0.05-0.22mm/min,坩埚上升速度为晶体生长速度的0-0.05倍,晶体生长时间为1-15min,晶体长度L=0.05-4.5mm;
步骤4.7 晶体生长速度和坩埚上升速度为0mm/min,晶转速度以0.01-0.1转/min的速率下降,直至降到1转,晶体生长时间为29-123min;
步骤5:收尾结束,晶体脱离液体后,进入冷却环节,直至取出单晶。
2.根据权利要求1所述的直拉法硅棒生产过程中快速收尾方法,其特征是:步骤4.1中晶体生长速度为0.15-0.35mm/min,步骤4.2中晶体生长速度为0.05-0.15mm/min,步骤4.3中晶体生长速度为0.1-0.25mm/min,步骤4.4 中晶体生长速度设为0.15-0.35mm/min,步骤4.5辊晶体生长速度为0.1-0.25mm/min,步骤4.6中晶体生长速度为0.05-0.13mm/min。
3.根据权利要求1所述的直拉法硅棒生产过程中快速收尾方法,其特征是:步骤4.1~步骤4.4中氩气流速为100~200slpm;步骤4.5~步骤4.7中, 氩气流速为50~100slpm。
4.根据权利要求1所述的直拉法硅棒生产过程中快速收尾方法,其特征是:步骤4中控制压力为2-6KPa。
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