[发明专利]一种产生远红外偏振光的方法

权利要求书

1.一种产生远红外偏振光的方法，其包括以下步骤：

提供一碳纳米管结构，该碳纳米管结构包括一第一碳纳米管结构和一第二碳纳米管结构，所述第一碳纳米管结构包括多个沿同一方向定向延伸的第一碳纳米管，相邻的两个第一碳纳米管之间的间隙的尺寸为1纳米～0.5微米，所述第二碳纳米管结构包括多个随机分散在该第一碳纳米管结构的表面的第二碳纳米管，且该多个第二碳纳米管与该多个第一碳纳米管搭接设置；

对所述碳纳米管结构进行预处理，除去至少部分第二碳纳米管，得到预处理后的碳纳米管结构；

将该预处理后的碳纳米管结构设置于一远红外光源的出射面一侧；

使该远红外光源激发产生远红外光，并使该远红外光透过该预处理后的碳纳米管结构后发射出去；以及

加热所述预处理后的碳纳米管结构。

2.如权利要求1所述的产生远红外偏振光的方法，其特征在于，所述碳纳米管结构包括多层碳纳米管膜，所述碳纳米管膜包括多个通过范德华力首尾相连的碳纳米管束，每一碳纳米管束包括多个相互平行的第一碳纳米管。

3.如权利要求1所述的产生远红外偏振光的方法，其特征在于，所述多个第一碳纳米管的表面包覆有金属导电层。

4.如权利要求1所述的产生远红外偏振光的方法，其特征在于，所述碳纳米管结构的边缘固定于一支撑框架上，中间部分通过该支撑框架悬空设置。

5.如权利要求1所述的产生远红外偏振光的方法，其特征在于，所述预处理所述碳纳米管结构的步骤为激光扫描所述碳纳米管结构。

6.如权利要求1所述的产生远红外偏振光的方法，其特征在于，所述预处理所述碳纳米管结构的步骤为等离子体刻蚀所述碳纳米管结构。

7.如权利要求1所述的产生远红外偏振光的方法，其特征在于，所述加热所述预处理后的碳纳米管结构的步骤为在第一碳纳米管延伸方向的两侧施加电压。

8.如权利要求1所述的产生远红外偏振光的方法，其特征在于，加热所述预处理后的碳纳米管结构的同时进一步包括旋转所述预处理后的碳纳米管结构。

9.如权利要求1所述的产生远红外偏振光的方法，其特征在于，所述预处理后的碳纳米管结构悬空设置于一真空容器内。

10.如权利要求9中所述的产生远红外偏振光的方法，其特征在于，所述真空容器内的压强小于等于10^-2Pa。