[发明专利]内串联结构二极管管堆

权利要求书

1.内串联结构二极管管堆，其特征在于包括金属陶瓷管壳、基板和二极管芯片；其中，基板具有多个独立的金属互联模块，焊接在金属陶瓷管壳上，每两个二极管芯片叠层串联构成回路焊接在基板上，金属陶瓷管壳内部集成多个独立的回路。

2.如权利要求1所述的内串联结构二极管管堆，其特征在于所述二极管芯片为表面镀金的多层金属电极系统。

3.如权利要求1所述的内串联结构二极管管堆，其特征在于所述回路中的两个二极管芯片是通过焊料将其中一个芯片的负电极与另一芯片的正电极焊接，并通过金丝键合的方式与金属陶瓷管壳连通。

4.如权利要求1所述的内串联结构二极管管堆，其特征在于使用三种熔点具有温度梯度的焊料进行金属陶瓷管壳、基板、芯片间的焊接；先焊接的部位所使用焊料的熔点高于后焊接的部位所使用的焊料的熔点。

5.如权利要求1所述的内串联结构二极管管堆，其特征在于使用同种焊料对金属陶瓷管壳、基板、芯片进行一次成型焊接。

6.如权利要求1所述的内串联结构二极管管堆，其特征在于所述内串联结构二极管管堆，长10.1±0.15mm，宽7.1±0.15mm，高2.85mm。

7.如权利要求1所述的内串联结构二极管管堆，其特征在于所述内串联结构二极管管堆拥有8个独立回路，每回路由2只相同的PIN二极管芯片叠层串联构成，每个回路V_BR≥200V(I_R=10μA)，V_F≤2.2V(I_F=1.0A)。

8.如权利要求1所述的内串联结构二极管管堆，其特征在于金属陶瓷管壳的引线电阻R≤0.1Ω/根，二极管芯片的V_BR≥100V(I_R=10μA)，V_F≤1V(I_F=1.0A)。