[发明专利]一种核壳GaN纳米线阵列的制备方法在审
| 申请号： | 201810106547.8 | 申请日： | 2018-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN108394857A | 公开（公告）日： | 2018-08-14 |
| 发明（设计）人： | 康云龙;王现英 | 申请（专利权）人： | 上海理工大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 吴宝根 |
| 地址： | 200093 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米线阵列 制备 侧壁 核壳 核壳纳米线 结构薄膜 纳米结构 掩膜层 光滑 陡峭 光电子器件 微电子器件 二次生长 排列规则 外延生长 长径比 规模化 可控的 衬底 刻蚀 薄膜 图案 生长 应用 | ||
1.一种核壳GaN纳米线阵列的制备方法，其特征在于包括如下步骤：
1）通过外延方法在衬底上外延生长GaN结构薄膜；
2）在上述薄膜上生长掩膜层，并将掩膜层制备成相应的图案；
3）在GaN结构薄膜中形成侧壁陡峭的纳米结构；
4）刻蚀所述的侧壁陡峭的纳米结构，形成侧壁光滑排列规则的纳米线阵列；
5）在步骤4）所得的GaN纳米线阵列上进行二次生长，获得核壳纳米线阵列。
2.根据权利要求1所述的一种核壳GaN米线阵列的制备方法，其特征在于：所述掩膜层为SiO2、SiNx、ZnO、或Al2O3。
3.根据权利要求1所述的一种核壳GaN米线阵列的制备方法，其特征在于：通过紫外光刻、电子束光刻、干法刻蚀或湿法腐蚀将掩膜层制备成相应的图案。
4.根据权利要求1所述的一种核壳GaN米线阵列的制备方法，其特征在于：所述图案的尺寸为10nm-10μm。
5.根据权利要求1所述的一种核壳GaN米线阵列的制备方法，其特征在于：在步骤3）中，采用干法刻蚀在GaN基结构薄膜中形成侧壁陡峭的纳米结构。
6.根据权利要求5所述的一种核壳GaN米线阵列的制备方法，其特征在于:所述干法刻蚀为离子束刻蚀、感应耦合等离子刻蚀、或反应离子刻蚀。
7.根据权利要求1所述的一种核壳GaN米线阵列的制备方法，其特征在于：在步骤3）中，侧壁陡峭的纳米结构的陡峭程度根据侧面角度值判断。
8.根据权利要求7所述的一种核壳GaN米线阵列的制备方法，其特征在于：侧面角度值范围为45°-90°。
9.根据权利要求1所述的一种核壳GaN米线阵列的制备方法，其特征在于：在步骤4）中，采用碱性溶液腐蚀上述纳米结构。
10.根据权利要求1所述的一种核壳GaN米线阵列的制备方法，其特征在于：在步骤5）中，采用气相化学沉积、金属有机物气相化学沉积、分子束外延沉积、氢化物气相外延沉积或物理溅射沉积的方法，在步骤4）所得的GaN纳米线阵列上进行二次生长。
11.根据权利要求1所述的一种核壳GaN米线阵列的制备方法，其特征在于：在步骤5）中，所述二次生长采用的材料为AlN、AlGaN、InGaN、InN、ZnO、或SiO2。
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