[发明专利]半导体器件的制造方法及记录介质

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，将在处理空间的上游侧的缓冲空间中分散的处理气体向所述处理空间供给而对衬底进行处理，该半导体器件的制造方法的特征在于，具有如下工序：

(a)经由第1排气管对搬运空间的环境气体进行排气，并将所述衬底向所述处理空间搬运的工序；

(b)将设于所述第1排气管的第1阀关闭的工序；

(c)边经由所述缓冲空间将所述处理气体向所述处理空间供给、边经由第3排气管对所述处理空间的环境气体进行排气的工序；

(d)在停止了所述处理气体的供给之后，且在将连接于所述缓冲空间的第2排气管上所设置的第2阀关闭的状态下，经由所述缓冲空间向所述处理空间供给吹扫气体，并经由所述第3排气管对所述处理空间内的环境气体进行排气的工序；以及

(e)在所述(d)工序之后，在将设于所述第3排气管的第3阀关闭、将所述第2阀打开的状态下，向所述缓冲空间供给吹扫气体，并经由所述第2排气管对所述缓冲空间的环境气体进行排气的工序。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

在所述(c)工序中，包括供给第1处理气体的工序和供给第2处理气体的工序，

在所述供给第1处理气体的工序和所述供给第2处理气体的工序之间，进行所述(d)工序和所述(e)工序。

3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

在所述(a)工序之后，在将设于所述第1排气管的位于所述第1真空泵的上游侧的第4阀关闭之后，进行所述(b)工序。

4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

具有如下工序：在向所述处理空间供给所述处理气体之时，在停止了所述搬运空间的排气的状态下对所述处理空间进行排气。

5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

具有如下工序：在所述(e)工序之后，在将所述第2阀关闭的状态下向所述处理空间供给所述吹扫气体，经由所述第3排气管对所述处理空间内的环境气体进行排气。

6.一种记录介质，记录有使衬底处理装置执行半导体器件的制造方法的程序，所述半导体器件的制造方法将在处理空间的上游侧的缓冲空间中分散的处理气体向所述处理空间供给而对衬底进行处理，具有如下步骤：

(a)经由第1排气管对搬运空间的环境气体进行排气，并将所述衬底向所述处理空间搬运的步骤；

(b)将设于所述第1排气管的第1阀关闭的步骤；

(c)边经由所述缓冲空间将所述处理气体向所述处理空间供给、边经由第3排气管对所述处理空间的环境气体进行排气的步骤；

(d)在停止了所述处理气体的供给之后，且在将连接于所述缓冲空间的第2排气管上所设置的第2阀关闭的状态下，经由所述缓冲空间向所述处理空间供给吹扫气体，并经由所述第3排气管对所述处理空间内的环境气体进行排气的步骤；以及

(e)在所述(d)步骤之后，在将设于所述第3排气管的第3阀关闭、将所述第2阀打开的状态下，向所述缓冲空间供给吹扫气体，并经由所述第2排气管对所述缓冲空间的环境气体进行排气的步骤。

7.如权利要求6所述的记录介质，其特征在于，

在所述(c)步骤中，包括供给第1处理气体的步骤和供给第2处理气体的步骤，

在所述供给第1处理气体的步骤和所述供给第2处理气体的步骤之间，进行所述(d)步骤和所述(e)步骤。

8.如权利要求6所述的记录介质，其特征在于，

在所述(a)步骤之后，在将设于所述第1排气管的位于所述第1真空泵的上游侧的第4阀关闭之后，进行所述(b)步骤。

9.如权利要求6所述的记录介质，其特征在于，

具有如下步骤：在向所述处理空间供给所述处理气体之时，在停止了所述搬运空间的排气的状态下对所述处理空间进行排气。

10.如权利要求6所述的记录介质，其特征在于，

具有如下步骤：在所述(e)步骤之后，在将所述第2阀关闭的状态下向所述处理空间供给所述吹扫气体，经由所述第3排气管对所述处理空间内的环境气体进行排气。