[发明专利]一种带围坝的陶瓷线路板制备方法及陶瓷线路板结构

说明书

一种带围坝的陶瓷线路板制备方法及陶瓷线路板结构，首先制备陶瓷线路板和围坝，然后在陶瓷线路板上形成第一金属键合层，在围坝上形成第二金属键合层，最后将陶瓷线路板上的第一金属键合层与围坝上的第二金属键合层接触并进行键合操作，形成带围坝的陶瓷线路板。本发明摒弃了有机粘连剂，且无需焊料进行连接，采用键合技术通过金属键合层来连接围坝和陶瓷线路板，提高了粘连强度和散热能力，从而提高了封装产品的可靠性，降低了封装的工艺难度，大大提高的芯片的使用寿命和环境适应度。

技术领域

本发明涉及一种带围坝的陶瓷线路板制备方法及陶瓷线路板结构。

背景技术

发光二极管（Light Emitting Diode，LED）是一种能够将电能转化为光的固态的半导体器件，其被广泛应用于显示屏、交通讯号、显示光源、汽车用灯、LED 背光源及照明光源等领域。

LED封装模组通常包含陶瓷线路板和设置在陶瓷线路板上发光区域内的LED芯片，为了实现更好的气密性，通常在陶瓷线路板的发光区域周围设置有围坝，然后利用围坝形成的空间，在围坝内的发光区域内涂覆荧光胶体，完成LED封装。

目前多数工艺是采用围坝胶来形成围坝，围坝胶采用有机粘连剂，时间长了会老化开裂，且围坝胶的散热性能差，气密性差，强度低，抗紫外线能力弱，导致封装产品的可靠性降低，环境适应度大幅下降。

发明内容

本发明提供一种带围坝的陶瓷线路板制备方法及陶瓷线路板结构，摒弃了有机粘连剂，且无需焊料进行连接，采用键合技术通过金属键合层来连接围坝和陶瓷线路板，提高了粘连强度和散热能力，从而提高了封装产品的可靠性，降低了封装的工艺难度，大大提高的芯片的使用寿命和环境适应度。

为了达到上述目的，本发明提供一种带围坝的陶瓷线路板制备方法，包含以下步骤：

步骤S1、制备陶瓷线路板和围坝；

步骤S2、在陶瓷线路板上形成第一金属键合层，在围坝上形成第二金属键合层；

步骤S3、将陶瓷线路板上的第一金属键合层与围坝上的第二金属键合层接触并进行键合操作，形成带围坝的陶瓷线路板。

所述的键合操作的压力为50Kg～7000 Kg，键合操作的温度为200℃～800℃。

所述的第一金属键合层和第二金属键合层的位置相互对应匹配。

所述的第一金属键合层和第二金属键合层采用Au、Sn、Ti、Ni、Pt、Ag、W、AuSn、PdIn、In材料中的任意一种或者多种的组合。

所述的第一金属键合层和第二金属键合层的厚度为10nm～10um。

采用电镀、化学镀、蒸发镀、磁控溅射中的任意一种方式或者多种方式的组合来形成第一金属键合层和第二金属键合层。

所述的陶瓷线路板采用DPC、DBC、AMB工艺下的氮化铝陶瓷线路板，或者氧化铝陶瓷线路板，或者氮化硅陶瓷线路板。

所述的围坝采用金属材料或陶瓷材料。

本发明还提供一种带围坝的陶瓷线路板结构，包含：

陶瓷线路板；

围坝；

第一金属键合层，其设置在陶瓷线路板上；

第二金属键合层，其设置在围坝上，并与第一金属键合层键合联结在一起。

本发明摒弃了有机粘连剂，且无需焊料进行连接，采用键合技术通过金属键合层来连接围坝和陶瓷线路板，提高了粘连强度和散热能力，从而提高了封装产品的可靠性，降低了封装的工艺难度，大大提高的芯片的使用寿命和环境适应度。

附图说明