[发明专利]一种发光二极管外延片的制备方法有效
| 申请号： | 201810101171.1 | 申请日： | 2018-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN108493304B | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 魏晓骏;葛永晖;舒辉;郭炳磊;吕蒙普;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 未掺杂氮化镓层 缓冲层 粘性膜 发光二极管外延 氮化硼层 基底 制备 生长 衬底 半导体技术领域 外延片 再利用 去除 | ||
1.一种发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供设有缓冲层的衬底，所述缓冲层包括氮化硼层；
在所述缓冲层上生长未掺杂氮化镓层；
在所述未掺杂氮化镓层上设置粘性膜；
撕除所述粘性膜，使所述未掺杂氮化镓层在机械应力的作用下与所述缓冲层分离；
将所述未掺杂氮化镓层铺设在基底上，使所述未掺杂氮化镓层在范德华力的作用下固定在所述基底上；
去除所述粘性膜，留下设有所述未掺杂氮化镓层的基底；
在所述未掺杂氮化镓层上依次生长N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层，形成所述发光二极管外延片。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氮化硼层为六方氮化硼层。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述氮化硼层的层数为1层～40层。
4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述提供设有缓冲层的衬底，所述缓冲层包括氮化硼层，包括：
控制温度为1000℃～1200℃，压力为4×104Pa～6×104Pa，在所述衬底上生长氮化硼层。
5.根据权利要求1～4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述缓冲层还包括氮化铝层或者氮化镓层，所述氮化铝层或者氮化镓层设置在所述氮化硼层和所述衬底之间。
6.根据权利要求1～4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述未掺杂氮化镓层的厚度为1μm～2μm。
7.根据权利要求1～4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述在所述未掺杂氮化镓层上设置粘性膜，包括：
在所述未掺杂氮化镓层上旋涂聚二甲基硅氧烷，形成所述粘性膜。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述去除粘性膜，留下设有所述未掺杂氮化镓层的基底，包括：
将所述粘性膜浸泡在丙酮溶液中，使所述粘性膜溶解在所述丙酮溶液中，留下设有所述未掺杂氮化镓层的基底。
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