[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：

在一基材上形成一缓冲层，并图案化所述缓冲层以形成一凹部；

形成一第一导电层于所述缓冲层上；

在所述第一导电层上对应于凹部处形成对应于一闸电极图案的一光刻胶；

图案化所述第一导电层，以在所述凹部形成对应于所述光刻胶之一闸电极，使所述闸电极的外围具有相互连接一斜面与一平面，并去除所述光刻胶；

形成一闸极介电层于所述闸电极与所述缓冲层上；

形成一半导体材料层于所述闸极介电层上并图案化所述半导体材料层，使所述半导体材料层对应于所述闸电极而设置；以及

形成一第二导电层在所述半导体材料层与所述闸极介电层上，并图案化所述第二导电层，以于所述半导体材料层上分别形成一源电极与一漏电极，其中所述源电极与所述漏电极分别接触所述半导体材料层，且所述闸电极分别使所述源电极和所述漏电极自对准重叠。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在形成所述第一导电层于所述缓冲层的步骤中，所述第一导电层填入所述凹部而形成另一凹部，所述光刻胶形成于所述另一凹部。

3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述闸电极包括一第一子层与一第二子层，所述平面为所述第一子层远离所述缓冲层的表面，所述斜面为所述第二子层的倾斜侧壁。

4.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述第一子层与所述第二子层的材料相同。

5.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述第一子层具有两侧壁，所述两侧壁具有一选定重叠距离，所述选定重叠距离对应于所述第一子层的周边部分，图案化所述第二导电层是使所述源电极与所述漏电极至少通过所述选定重叠距离设置在所述闸电极上方而与所述闸电极自对准重叠。

6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述闸电极的形貌通过覆盖所述闸电极的每个膜层而向上传播。

7.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

一基材；

一缓冲层，设置于所述基材上，所述缓冲层具有一凹部；

一闸电极，设置于所述缓冲层的所述凹部，所述闸电极的外围具有相互连接一斜面与一平面，所述闸电极包括一第一子层与一第二子层，所述第一子层位于所述缓冲层与所述第二子层之间，所述平面为所述第一子层远离所述缓冲层的表面，所述斜面为所述第二子层的倾斜侧壁；

一闸极介电层，设置于所述闸电极与所述缓冲层上；

一半导体材料层，设置于所述闸极介电层上，所述半导体材料层与所述闸电极对应设置；以及

一源电极与一漏电极，分别设置于所述半导体材料层上，所述源电极与所述漏电极分别接触所述半导体材料层，且所述闸电极分别与所述源电极和所述漏电极自对准重叠。

8.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一子层与所述第二子层的材料相同。

9.如权利要求8所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一子层具有两侧壁，所述两侧壁具有一选定重叠距离，所述选定重叠距离对应于所述第一子层的周边部分，所述源电极与所述漏电极至少通过所述选定重叠距离设置在所述闸电极上方而与所述闸电极自对准重叠。

10.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：

在一基材上形成一缓冲层，并图案化所述缓冲层以形成一凹部；

形成一第一导电层于所述缓冲层上；

在所述第一导电层上对应于凹部处形成对应于一闸电极图案的一光刻胶；

图案化所述第一导电层，以在所述凹部形成对应于所述光刻胶之一闸电极，使所述闸电极的外围具有相互连接一斜面与一平面，并去除所述光刻胶，其中所述闸电极包括一第一子层与一第二子层，所述平面为所述第一子层远离所述缓冲层的表面，所述斜面为所述第二子层的倾斜侧壁，且所述第一子层与所述第二子层的材料相同；

形成一闸极介电层于所述闸电极与所述缓冲层上；

形成一半导体材料层于所述闸极介电层上并图案化所述半导体材料层，使所述半导体材料层对应于所述闸电极而设置；以及

形成一第二导电层在所述半导体材料层与所述闸极介电层上，并图案化所述第二导电层，以于所述半导体材料层上分别形成一源电极与一漏电极，其中所述源电极与所述漏电极分别接触所述半导体材料层，且所述闸电极分别使所述源电极和所述漏电极自对准重叠。