[发明专利]臭氧气体加热机构、基板处理装置以及基板处理方法

说明书

提供一种减少由于供给臭氧气体而产生的基板温度的偏差的臭氧气体加热机构、基板处理装置以及基板处理方法。一个实施方式的臭氧气体加热机构具备：气体供给单元，其设置在基板处理装置的处理容器内，能够向基板供给臭氧气体；气体供给配管，其与所述气体供给单元连接，能够向所述气体供给单元供给所述臭氧气体；以及配管加热单元，其设置在所述气体供给配管，用于对所述气体供给配管内的所述臭氧气体进行加热。

技术领域

本发明涉及一种臭氧气体加热机构、基板处理装置以及基板处理方法。

背景技术

以往以来，在半导体制造工艺中，在基板上形成氧化膜时，作为工艺气体，有时使用臭氧(O₃)气体。臭氧气体是不稳定的气体，因此具有进行分解而成为稳定的氧(O₂)气体的性质。臭氧气体在室温下逐渐分解，与此相对，当超过200℃时，臭氧气体在2～3秒左右内分解。因此，在使用臭氧气体来作为工艺气体的情况下，一般不进行加热而在室温(常温)下向处理容器供给臭氧气体。

另外，近年来，具有向处理容器供给大流量的臭氧气体来进行处理的倾向。然而，当向处理容器供给大流量的臭氧气体时，有时基板温度降低而对所形成的氧化膜的特性产生影响。

因此，为了抑制基板温度降低，考虑预先对臭氧气体进行加热后供给到处理容器。作为能够预先对臭氧气体进行加热后供给到处理容器的装置，已知如下一种纵型热处理装置：在将多个基板以沿铅直方向具有规定间隔的方式大致水平地收纳的处理容器内设置有具备预加热加热器的喷射器(例如参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2007-081365号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，在上述的装置中，对处理容器内的上部区域供给被基板加热用的加热器和预加热加热器加热后的臭氧气体，与此相对，对处理容器内的下部区域供给几乎没有被加热的臭氧气体。因此，配置在处理容器内的下部区域的基板的温度比配置在处理容器内的上部区域的基板的温度低。像这样，由于臭氧气体的供给而基板温度产生偏差。

因此，鉴于上述问题，目的在于降低由于供给臭氧气体而产生的基板温度的偏差。

用于解决问题的方案

为了实现上述目的，本发明的一个方式所涉及的臭氧气体加热机构具备：气体供给单元，其设置在基板处理装置的处理容器内，能够向基板供给臭氧气体；气体供给配管，其与所述气体供给单元连接，能够向所述气体供给单元供给所述臭氧气体；以及配管加热单元，其设置在所述气体供给配管，用于对所述气体供给配管内的所述臭氧气体进行加热。

发明的效果

根据本发明的一个方式，能够减少由于供给臭氧气体而产生的基板温度的偏差。

附图说明

图1是本发明的实施方式所涉及的基板处理装置的概要截面图。

图2是用于说明用于确认臭氧气体加热机构的作用、效果的实验系统的图。

图3是示出利用图2的实验系统对臭氧气体进行了加热时的浓度变化的图。

图4是示出利用图2的实验系统对臭氧气体进行了加热时的浓度变化的另一图。

附图标记说明

1：基板处理装置；4：处理容器；60：喷射器；61：气体供给孔；82：气体供给配管；84：配管加热单元；85：温度传感器；W：晶圆。

具体实施方式