[发明专利]磁装置和用于设置磁装置的方法在审
| 申请号： | 201810099861.8 | 申请日： | 2018-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN108376736A | 公开（公告）日： | 2018-08-07 |
| 发明（设计）人： | 郑洪植;罗曼·凯普斯肯;唐学体;德米特罗·埃帕尔科夫 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;尹淑梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 自由层 磁装置 活性层 易磁化轴 高阻尼 非磁性间隔层 被钉扎层 磁存储器 平面方向 参考层 非零度 可切换 锐角 输运 自旋 垂直 施加 轨道 | ||
1.一种磁装置，所述磁装置包括：
多个磁性结，所述多个磁性结中的每个磁性结包括自由层、被钉扎层和非磁性间隔层，非磁性间隔层位于被钉扎层与自由层之间，自由层具有倾斜的易磁化轴和高阻尼常数中的至少一种，所述倾斜的易磁化轴与垂直于平面方向成非零度锐角，所述高阻尼常数为至少0.02；以及
至少一个自旋轨道相互作用活性层，与所述多个磁性结中的每个磁性结的自由层相邻，所述至少一个自旋轨道相互作用活性层输运平面内电流，所述至少一个自旋轨道相互作用活性层由于经过所述至少一个自旋轨道相互作用活性层的电流而对自由层施加自旋轨道相互作用力矩，利用自旋轨道相互作用力矩使自由层是可切换的。
2.根据权利要求1所述的磁装置，其中，自由层具有所述倾斜的易磁化轴，其中，所述非零度锐角为至少5度且不大于20度。
3.根据权利要求2所述的磁装置，其中，所述非零度锐角不大于10度。
4.根据权利要求2所述的磁装置，其中，自由层包括以下中的至少一种：
L10CoPt(111)层位于MgO/Pt(111)下层上的双层，
Tbx(Fe50Co50)1-x层，其中，x大于0且小于1，
Fe3Pt/[FePt/MgO]2双层，和
多层，所述多层包括选择层、耦合层和垂直层，所述垂直层具有比平面外退磁能大的高垂直各向异性能，所述耦合层是非晶的且位于所述选择层与所述垂直层之间，所述选择层选自倾斜的层和平面内各向异性层，所述倾斜的层具有与所述垂直于平面方向成附加非零度锐角的易磁化轴，所述平面内各向异性层具有平面内的优选轴。
5.根据权利要求4所述的磁装置，其中，自由层还具有高阻尼常数。
6.根据权利要求1所述的磁装置，其中，自由层包括至少一种掺杂物，所述至少一种掺杂物提供至少0.02的高阻尼常数。
7.根据权利要求6所述的磁装置，其中，所述高阻尼常数为至少0.5。
8.根据权利要求6所述的磁装置，其中，自由层包括至少5原子百分比且不多于20原子百分比的所述至少一种掺杂物。
9.根据权利要求6所述的磁装置，其中，所述至少一种掺杂物包括Pt、Ir、Os、Re、W、Bi、Sm、Ho、Dy、Er中的至少一种。
10.根据权利要求9所述的磁装置，其中，所述至少一种掺杂物选自Dy、W和Bi。
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