[发明专利]一种半导体衬底的处理系统

权利要求书

1.一种GaAs晶片处理系统，包括，

晶片处置工作台，用于置放被处理的GaAs晶片；

第一快速应力监测装置，通过该第一快速应力监测装置能够快速的获得所处理GaAs晶片的整体应力分布；对GaAs晶片的中应力较大的区域进行标定，即通过第一快速应力监测装置获得应力较大的区域101；

第二应力精确监测装置，该监测装置对应力较大的区域101进行监测，并够获得所探测区域精确的应力值；

精确退火装置，所述精确退火装置为激光退火装置，该激光退火装置能够对特定的应力较大的区域进行位置精准的退火工艺处理，并且根据待处理区域的精确的应力值情况，精确控制激光退火工艺能量密度和退火时间，从而降低相应区域的应力值，改善晶片的质量。

2.根据权利要求1所述的GaAs晶片处理系统，所述第一快速应力监测装置为扫描红外偏振光应力监测仪，所述第二应力精确监测装置是高分辨率x射线衍射应力测试仪。

3.根据权利要求1所述的GaAs晶片处理系统，所述应力值较大的区域101根据实际探测结果获得，具有一个或多个区域分布。

4.一种GaAs晶片处理方法，包括，将被处理一个或多个GaAs晶片放置在处置工作台上；其特征在于，采用第一快速应力监测装置测试被测试的一个或多个GaAs晶片分布情况，并对测试结果进行记录，通过该第一快速应力监测装置能够快速的获得所处理GaAs晶片的整体应力分布；

如果被测GaAs晶片应力分布均匀，则测试下一批样品；如被测GaAs晶片应力分布不均匀，则标记该晶片中应力分布不均匀的区域101；

采用第二应力精确监测装置对晶片进行应力测试，该精确监测装置仅需对应力较大的区域101进行监测，并够获得所探测区域精确的应力值；

使用精确退火装置对晶片进行退火处理，所述精确退火装置为激光退火装置，该激光退火装置能够对特定的应力较大的区域101进行位置精准的退火工艺处理，并且根据待处理区域的精确的应力值情况，精确控制激光退火工艺能量密度和退火时间，从而降低相应区域的应力值，改善晶片的质量。

5.根据权利要求4所述的GaAs晶片处理方法，所述第一快速应力监测装置为扫描红外偏振光应力监测仪，所述第二应力精确监测装置是高分辨率x射线衍射应力测试仪。

6.根据权利要求4所述的GaAs晶片处理方法，所述应力值较大的区域101根据实际探测结果获得，具有一个或多个区域分布。