[发明专利]基板及其制造方法、显示装置有效
申请号: | 201810098359.5 | 申请日: | 2018-01-31 |
公开(公告)号: | CN108321175B | 公开(公告)日: | 2021-02-12 |
发明(设计)人: | 赵德江;袁广才;董立文 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 及其 制造 方法 显示装置 | ||
1.一种基板,包括:
基底;
像素界定层,设置有多个开口,所述像素界定层包括依次叠置在所述基底上的第一界定层、第二界定层和第三界定层;
其中,所述第二界定层配置为导电层,并且所述第二界定层在所述基底上的正投影至少部分位于所述第三界定层的靠近所述基底的一端在所述基底上的正投影之外,
其中所述第二界定层包括非透明金属材料,第二界定层用作黑矩阵,
其中所述基板还包括:
位于所述开口中的发光材料层和第一电极,所述发光材料层位于所述第一电极和所述基底之间,并且所述第一电极与所述第二界定层的远离所述基底的表面部分接触,
所述第一电极和所述第二界定层的上表面连接以形成公共电极,所述第一电极的远离所述基底的表面与所述第一界定层的远离所述基底的表面位于同一水平面内,以减小所述公共电极的段差。
2.根据权利要求1所述的基板,其中,
所述第一界定层在所述基底上的正投影与所述第二界定层在所述基底上的正投影重合。
3.根据权利要求1所述的基板,其中,
所述第三界定层的靠近所述基底的一端在所述基底上的正投影位于所述第二界定层在所述基底上的正投影之内。
4.根据权利要求1所述的基板,其中,
所述第一界定层包括疏液层和亲液层,所述亲液层位于所述疏液层和所述基底之间。
5.根据权利要求1所述的基板,其中,
在垂直于所述基底所在面的方向上,所述第三界定层的截面形状包括正梯形、矩形和倒梯形中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的基板,还包括:
第一无机封装层,位于所述开口中,并且位于所述第一电极的远离所述基底的一侧。
7.根据权利要求6所述的基板,还包括:
第二有机封装层,位于所述第一无机封装层的远离所述基底的一侧,并且所述第二有机封装层至少部分位于所述开口中。
8.根据权利要求7所述的基板,其中,
所述第三界定层具有疏水性,并且相对于所述第二有机封装层的材料具有亲液性。
9.根据权利要求7所述的基板,其中,所述像素界定层还包括:
第四界定层,位于所述第三界定层的远离所述基底的一侧,所述第四界定层具有疏水性且相对于所述第二有机封装层的材料具有疏液性。
10.一种显示装置,包括权利要求1-9中任一项所述的基板。
11.一种基板的制造方法,包括:
提供基底;
在所述基底上形成像素界定层,所述像素界定层中形成有多个开口;
其中,所述像素界定层包括依次形成在所述基底上的第一界定层、第二界定层和第三界定层,并且所述第二界定层形成为导电层,所述第二界定层在所述基底上的正投影至少部分位于所述第三界定层的靠近所述基底的一端在所述基底上的正投影之外,
其中所述第二界定层包括非透明金属材料,第二界定层用作黑矩阵,
其中所述制造方法还包括:
在所述开口中进行喷墨打印,所述喷墨打印的墨水干燥后形成发光材料层;以及
在所述发光材料层上沉积导电材料以形成第一电极,所述第一电极与所述第二界定层的远离所述基底的表面部分接触,
所述第一电极和所述第二界定层的上表面连接以形成公共电极,所述第一电极的远离所述基底的表面与所述第一界定层的远离所述基底的表面位于同一水平面内,以减小所述公共电极的段差。
12.根据权利要求11所述的制造方法,其中,
所述第一界定层在所述基底上的正投影与所述第二界定层在所述基底上的正投影重合。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810098359.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的