[发明专利]一种掩膜版、显示基板及其制作方法和显示装置

说明书

本发明提供一种掩膜版、显示基板及其制作方法和显示装置，该制作方法包括：在基底上形成膜层和光刻胶层；对光刻胶层进行曝光并显影，形成光刻胶图形，光刻胶图形包括第一光刻胶图形和第二光刻胶图形，第一光刻胶图形对应待形成的膜层图形，第二光刻胶图形位于第一光刻胶图形的至少相对的两侧，与第一光刻胶图形间隔设置；对待构图的膜层进行湿刻，使得第一光刻胶图形和第二光刻胶图形之间的膜层被刻蚀，第二光刻胶图形下方的膜层从基底上脱离，第一光刻胶图形下方的膜层形成膜层图形。采用上述方法形成的膜层图形，能够避免底切问题，从而提高了显示产品良率及性能。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种掩膜版、显示基板及其制作方法和显示装置。

背景技术

显示产品已经涉及到人类的方方面面，而生产显示产品属于精密制造行业，显示产品的最后性能的好坏直接取决于制程中工艺的水平。现有的显示产品的制作过程中，通常需要制作金属图形和金属氧化物图形等膜层图形，在制作这些膜层图形的过程中，可以使用湿刻工艺刻蚀出需要的膜层图形，请参考图1，由于湿刻工艺中的刻蚀液为各向同性刻蚀，使得最终形成的膜层图形102’会出现底切(undercut)的问题，即最终形成的膜层图形102’的垂直剖面呈倒梯形，膜层图形102’的底面与基底103的接触面积较小，影响膜层图形102’附着力，严重时会导致膜层图形102’脱落，特别是针对超窄线宽的膜层图形，直接影响显示产品良率及性能。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种掩膜版、显示基板及其制作方法和显示装置，用于解决显示基板上的膜层图形由于湿刻工艺导致底切，影响显示产品良率及性能的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种掩膜版，用于形成显示基板上的膜层图形，所述掩膜版包括：

至少一组掩膜图形，每一组所述掩膜图形包括：对应所述膜层图形的第一图形，以及位于所述第一图形的至少相对的两侧的第二图形，所述第二图形与所述第一图形间隔设置，所述第二图形在其延伸方向上的线宽大于或等于所述第一图形在同一方向上的线宽，所述第二图形在与其延伸方向垂直的方向上的线宽小于预设阈值，所述第一图形和第二图形均为透光图形或不透光图形。

优选地，所述第二图形在与其延伸方向垂直的方向上的线宽等于所述第一图形在同一方向上的线宽的5％～10％。

优选地，所述第二图形与所述第一图形之间的间距等于所述第一图形在与所述第二图形的延伸方向垂直的方向上的线宽的5％～10％。

本发明还提供一种显示基板的制作方法，包括：

提供一基底；

在所述基底上形成待构图的膜层和光刻胶层；

采用上述掩膜版，对所述光刻胶层进行曝光，并显影，形成至少一组光刻胶图形，每一组所述光刻胶图形包括第一光刻胶图形和第二光刻胶图形，所述第一光刻胶图形对应待形成的膜层图形，所述第二光刻胶图形位于所述第一光刻胶图形的至少相对的两侧，与所述第一光刻胶图形间隔设置，所述第二光刻胶图形在其延伸方向上的线宽大于或等于所述第一光刻胶图形在同一方向上的线宽，所述第二光刻胶图形在与其延伸方向垂直的方向上的线宽小于预设阈值；

对所述待构图的膜层进行湿刻，使得所述第一光刻胶图形和所述第二光刻胶图形之间的膜层被刻蚀，所述第二光刻胶图形下方的膜层从所述基底上脱离，所述第一光刻胶图形下方的膜层形成所述膜层图形。

优选地，所述第二光刻胶图形在与其延伸方向垂直的方向上的线宽等于所述第一光刻胶图形在所述第二方向上的线宽的5％～10％。

优选地，所述第二光刻胶图形与所述第一光刻胶图形之间的间距等于所述第一光刻胶在与所述第二光刻胶图形的延伸方向垂直方向上的线宽的5％～10％。

优选地，所述膜层采用金属或金属氧化物形成。