[发明专利]CMOS器件及调节CMOS器件阈值的方法

权利要求书

1.一种调节CMOS器件阈值的方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1，提供衬底(100)，所述衬底(100)包括NMOS区域和PMOS区域，所述NMOS区域至少具有第一鳍片(101)和第二鳍片(102)，所述PMOS区域至少具有第三鳍片(103)和第四鳍片(104)；

S2，在所述衬底(100)上顺序形成第一阻挡层(10)和第一功函数层(20)，所述第一阻挡层(10)覆盖于所述NMOS区域和所述PMOS区域之上，所述第一功函数层(20)位于所述第一阻挡层(10)的不与所述第一鳍片(101)和所述第二鳍片(102)对应的表面上；

S3，顺序形成第二功函数层(30)和第二阻挡层(40)，所述第二功函数层(30)覆盖所述第一阻挡层(10)和第一功函数层(20)设置，所述第二阻挡层(40)覆盖所述第二功函数层(30)设置；

S4，顺序形成第一导电层(510)和第二导电层(520)，所述第一导电层(510)位于所述第二阻挡层(40)的不与所述第二鳍片(102)和所述第三鳍片(103)对应的表面上，所述第二导电层(520)覆盖所述第一导电层(510)和所述第二阻挡层(40)设置，

形成所述第一导电层(510)的金属为W，形成所述第二导电层(520)的金属为Al、Ti、Co和Ni中的任一种或多种。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述第一功函数层(20)的步骤包括：

在所述第一阻挡层(10)上沉积形成第一功函数预备层(210)；

去除所述第一功函数预备层(210)中对应所述第一鳍片(101)和所述第二鳍片(102)的部分，得到所述第一功函数层(20)。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述第一导电层(510)的步骤包括：

在所述第二功函数层(30)上沉积形成第一导电预备层(511)；

去除所述第一导电预备层(511)中对应所述第二鳍片(102)和所述第三鳍片(103)的部分，得到所述第一导电层(510)。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述NMOS区域具有包括所述第一鳍片(101)和所述第二鳍片(102)在内的至少三个鳍体结构，所述PMOS区域具有包括所述第三鳍片(103)和所述第四鳍片(104)在内的至少三个鳍体结构，在所述步骤S2与所述步骤S3之间，所述方法还包括以下步骤：

调整对应各所述鳍体结构的所述第一阻挡层(10)的厚度，使至少部分所述鳍体结构上的第一阻挡层(10)的厚度不同。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用干法腐蚀、湿法腐蚀、灰化和剥离中的任一种调整所述第一阻挡层(10)的厚度。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，形成所述第一功函数层(20)的材料选自Al、TiAl、TiAl_x、TiAlC_x、TiC_x和TaC_x中的任一种或多种，其中，0.1≤x≤0.9。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，形成所述第二功函数层(30)的材料选自TiN、TaN、TiN_x、TaN_x和TiNSi中的任一种或多种，其中，0.1≤x≤0.9。

8.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，形成所述第一阻挡层(10)和所述第二阻挡层(40)的材料独立地选自TiN、TaN、TiN_x、TaN_x和TiNSi中的任一种或多种，其中，0.1≤x≤0.9。