[发明专利]半导体存储装置有效
申请号: | 201810094298.5 | 申请日: | 2018-01-30 |
公开(公告)号: | CN109509502B | 公开(公告)日: | 2022-12-09 |
发明(设计)人: | 沙納德·布什納克;桥本寿文 | 申请(专利权)人: | 铠侠股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/08 | 分类号: | G11C16/08 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 杨林勳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 存储 装置 | ||
1.一种半导体存储装置,其特征在于具备:
字线及配线,能够经由传输晶体管而电连接;
第1升压电路,能够将输出电压升压至第1电压;
第1传输电路,能够将所述第1升压电路与所述配线之间电连接;以及
控制部;且
所述配线将所述第1传输电路与所述传输晶体管之间电连接,
所述控制部在读出动作时,
经由所述第1传输电路将所述第1升压电路与所述配线之间电连接,且使所述第1升压电路的向所述第1电压的升压开始,
在所述字线为非选择的情况下,维持所述第1升压电路与所述配线之间的电连接。
2.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其特征在于:所述第1升压电路的向所述第1电压升压的开始时间点、与所述配线的向所述第1电压升压的开始时间点实质上同时。
3.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其特征在于:所述控制部在所述读出动作时,将所述配线与所述字线之间经由所述传输晶体管的连接电切断,且使所述第1升压电路的升压开始。
4.根据权利要求3所述的半导体存储装置,其特征在于:所述第1升压电路的向所述第1电压升压的斜率、与所述配线的向所述第1电压升压的斜率相等。
5.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其特征在于还具备:
第2升压电路,能够将输出电压升压至与所述第1电压不同的第2电压;以及
第2传输电路,能够将所述第2升压电路与所述配线之间电连接;且
所述控制部在所述读出动作中在选择所述字线的情况下,将所述第1升压电路与所述配线之间经由所述第1传输电路的连接电切断,且经由所述第2传输电路而将所述第2升压电路与所述配线之间电连接。
6.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其特征在于:
还具备第3传输电路,该第3传输电路能够将外部电源与所述配线之间电连接,
所述控制部在所述读出动作中在所述配线为非选择的情况下,将所述第1升压电路与所述配线之间经由所述第1传输电路的连接电切断,且经由所述第3传输电路而将所述外部电源与所述配线之间电连接。
7.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其特征在于:
所述第1传输电路包含第1驱动器及第2驱动器,所述第1驱动器及第2驱动器并联连接在所述第1升压电路与所述配线之间,
所述控制部在所述字线为非选择的情况下,从经由所述第1驱动器的连接向经由所述第2驱动器的连接切换,且维持所述第1升压电路与所述配线之间的电连接。
8.一种半导体存储装置,其特征在于具备:
字线及配线,能够经由传输晶体管而电连接;
第1升压电路,能够将输出电压升压至第1电压;
第2升压电路,能够将输出电压升压至低于所述第1电压的第2电压;
第1传输电路,能够将所述第1升压电路与所述配线之间电连接;
第2传输电路,能够将所述第2升压电路与所述配线之间电连接;以及
控制部;且
所述配线将所述第1传输电路与所述传输晶体管之间、及所述第2传输电路与所述传输晶体管之间电连接,
所述控制部在读出动作时,
经由所述第2传输电路而将所述第2升压电路与所述配线之间电连接,且使所述第2升压电路的向所述第2电压的升压开始,并且使所述第1升压电路的向所述第1电压的升压开始,
在所述字线为非选择的情况下,将所述第2升压电路与所述配线之间经由所述第2传输电路的连接电切断,且经由所述第1传输电路而将所述第1升压电路与所述配线之间电连接。
9.一种半导体存储装置,其特征在于具备:
字线及配线,能够经由传输晶体管而电连接;
第1升压电路,能够将输出电压升压至第1电压;
第1传输电路,能够将所述第1升压电路与所述配线之间电连接;
第2传输电路,能够将外部电源与所述配线之间电连接;以及
控制部;且
所述配线将所述第1传输电路与所述传输晶体管之间、及所述第2传输电路与所述传输晶体管之间电连接,
所述控制部在读出动作时,
经由所述第2传输电路而将所述外部电源与所述配线之间电连接,并且使所述第1升压电路的向所述第1电压的升压开始,
在所述字线为非选择的情况下,将所述外部电源与所述配线之间经由所述第2传输电路的连接电切断,且经由所述第1传输电路而将所述第1升压电路与所述配线之间电连接。
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