[发明专利]一种薄膜型AlGaInP发光二极管芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种薄膜型AlGaInP发光二极管芯片，包括：具有正反面的键合基板；其特征在于：从键合基板正面往上依次为：基板侧金属键合层、外延侧金属键合层、P面扩散阻挡金属层、P面反射欧姆接触层；从P面反射欧姆接触层往上依次为P型电流扩展层、P型限制层、P侧空间层、多量子阱发光区、N侧空间层、N型限制层、N型粗化层、N型欧姆接触层，N电极；键合基板的反面为P电极；P面反射欧姆接触层为Ag或者Ni/Ag叠层金属结构，与P型电流扩展层形成良好的欧姆接触，同时具备光反射和欧姆接触功能。

2.根据权利要求1所述的薄膜型AlGaInP发光二极管芯片，其特征在于：在非粗化的N型欧姆接触层的上面制备N电极，N电极为Au/Ge/Ni叠层结构；每个N电极正对位置为P面反射欧姆接触层的间隔区，且N电极的中心与P面反射欧姆接触层的中心相对应，N电极的宽度a小于P面反射欧姆接触层的间距b，并满足a=x*b，x=0.7~0.9。

3.根据权利要求2所述的薄膜型AlGaInP发光二极管芯片，其特征在于：N电极的宽度a为1~20 μm。

4.根据权利要求1所述的薄膜型AlGaInP发光二极管芯片，其特征在于：P面反射欧姆接触层使用的Ni/Ag金属为叠层，厚度分别为0.1~1nm和100~300nm。

5.根据权利要求1所述的薄膜型AlGaInP发光二极管芯片，其特征在于：P面扩散阻挡金属层在P面反射欧姆接触层以外的区域与P型电流扩展层之间为非欧姆接触。

6.根据权利要求1所述的薄膜型AlGaInP发光二极管芯片，其特征在于：基板侧金属键合层和外延材料侧金属键合层的材料均为Sn、In、Ag、Au其中一种或多种。

7.根据权利要求1所述的薄膜型AlGaInP发光二极管芯片，其特征在于：P面扩散阻挡金属层的材料为Cr、Ti、Pt、Au、Ni、Wu、Cu其中一种或金属合金TiW、FeNiCr、FeCoCr其中一种。

8.一种薄膜型AlGaInP 发光二极管芯片的制备方法，具体步骤包括：

A、在砷化镓衬底上生长薄膜型AlGaInP 发光二极管外延材料，所述外延材料包括：砷化镓缓冲层，腐蚀阻挡层，N型欧姆接触层，N型粗化层，N型限制层，N侧空间层，多量子阱发光区，P侧空间层，P型限制层，P型电流扩展层；

B、在P型电流扩展层表面制备P面反射欧姆接触层、P面扩散阻挡金属层和外延侧金属键合层；

C、在导电基板的正面和反面分别制备基板侧金属键合层和P电极；

D、把所述的外延侧金属键合层与基板侧金属键合层进行键合；

E、把所述的砷化镓衬底、砷化镓缓冲层、腐蚀阻挡层去除，以暴露N型欧姆接触层；

F、在N型欧姆接触层表面形成N电极；

G、去除N电极以外的N型欧姆接触层，裸露出N型粗化层，并进行粗化；

H、去除相邻芯片之间切割道上的外延材料，并进行切割作业，制备出成品芯片。