[发明专利]一种静电吸盘除静电时的氦气压力控制系统及方法有效
申请号: | 201810092190.2 | 申请日: | 2018-01-30 |
公开(公告)号: | CN108376659B | 公开(公告)日: | 2020-08-04 |
发明(设计)人: | 袁鹏华 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 201200 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 静电 吸盘 氦气 压力 控制系统 方法 | ||
1.一种静电吸附盘除静电时的氦气压力控制系统,其特征在于,包括:
反应腔体,为一圆柱形结构;
静电吸盘,设置于所述反应腔体底部;
第一气体管路,连接所述静电吸盘;
第二气体管路,连接所述静电吸盘;
第一压力控制单元,通过一第一阀组连接所述第一气体管路,所述第一压力控制单元包括第一背面冷却气体压力控制器和第一压力控制器,所述第一压力控制器用于控制所述第一气体管路内的压力值大于所述反应腔体中的压力值;
第二压力控制单元,通过一第二阀组连接所述第二气体管路,所述第二压力控制单元包括第二背面冷却气体压力控制器和第二压力控制器,所述第二压力控制器用于控制所述第二气体管路内的压力值大于所述反应腔体中的压力值;
冷却气体源,分别连接所述第一压力控制单元和所述第二压力控制单元;
分子泵,通过一第三阀组连接所述第一气体管路,以及通过一第四阀组连接所述第二气体管路。
2.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述分子泵还连接一干泵,所述干泵通过所述第三阀组连接所述第一气体管路,以及通过所述第四阀组连接所述第二气体管路。
3.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述第一阀组包括第一阀门和第二阀门,所述第一阀门连接所述第一背面冷却气体压力控制器,所述第二阀门连接所述第一压力控制器。
4.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述第二阀组包括第三阀门和第四阀门,所述第三阀门连接所述第二背面冷却气体压力控制器,所述第四阀门连接所述第二压力控制器。
5.根据权利要求2所述的系统,其特征在于,所述第三阀组包括第五阀门和第六阀门,所述第五阀门连接所述分子泵,所述第六阀门连接所述干泵。
6.根据权利要求2所述的系统,其特征在于,所述第四阀组包括第七阀门和第八阀门,所述第七阀门连接所述分子泵,所述第八阀门连接所述干泵。
7.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述第一压力控制器的压力工作范围为1托以下。
8.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述第二压力控制器的压力工作范围为1托以下。
9.一种静电吸附盘除静电时氦气压力控制方法,其特征在于,采用如权利要求1~8中任一所述的压力控制系统,包括以下步骤:
步骤S1、通过所述第一阀组控制所述第一背面冷却气体压力控制器与所述第一气体管路断开连接,以及控制所述第一压力控制器连接所述第一气体管路;
步骤S2、通过所述第二阀组控制所述第二背面冷却气体压力控制器与所述第二气体管路断开连接,以及控制所述第二压力控制器连接所述第二气体管路;
步骤S3、通过所述第三阀组和所述第四阀组控制所述分子泵对所述第一气体管路和所述第二气体管路进行抽气;
步骤S4,通过所述第一压力控制器使所述第一气体管路内的压力值大于所述反应腔体中的压力值;
步骤S5,通过所述第二压力控制器使所述第二气体管路内的压力值大于所述反应腔体中的压力值。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造