[发明专利]化合物和液晶介质

说明书

本发明涉及式I的化合物，并涉及液晶介质，优选具有向列相和负介电各向异性的液晶介质，其包含a)一种或多种式I的化合物和b)一种或多种式II的化合物，和/或c)一种或多种选自III‑1至III‑4和B的化合物的化合物和/或其中参数具有权利要求1和4中给出的含义，还涉及其用于电光显示器中，尤其是用于基于VA、ECB、PALC、FFS或IPS效应的有源矩阵显示器中的用途，涉及含有这种类型的液晶介质的这种类型的显示器，涉及式I的化合物用于将液晶介质稳定化的用途，该液晶介质包含一种或多种式II的化合物和一种或多种选自式III‑1至III‑4和B的化合物的化合物。

技术领域

本发明涉及新的化合物，特别是用于液晶介质的新的化合物，但还涉及这些液晶介质在液晶显示器中的用途，并且涉及这些液晶显示器，特别是使用ECB(电控双折射)效应与介电负性液晶(呈垂面初始配向)的液晶显示器。根据本发明的液晶介质在根据本发明的显示器中的特征在于特别短的响应时间，同时高的电压保持率(VHR或也仅简称为HR)。

背景技术

电控双折射、ECB效应或DAP(配向相畸变)效应的原理首次描述于1971年(M.F.Schieckel和K.Fahrenschon,“Deformation of nematic liquid crystals withvertical orientation in electrical fields”,Appl.Phys.Lett.19(1971),3912)。随后是J.F.Kahn(Appl.Phys.Lett.20(1972),1193)及G.Labrunie和J.Robert(J.Appl.Phys.44(1973),4869)的论文。

J.Robert和F.Clerc(SID 80 Digest Techn.Papers(1980),30)、J.Duchene(Displays 7(1986),3)以及H.Schad(SID 82 Digest Techn.Papers(1982),244)的论文已经显示出液晶相必须具有高数值的弹性常数K₃/K₁比、高数值的光学各向异性△n和△ε≤-0.5的介电各向异性值以适用于基于ECB效应的高信息显示元件。基于ECB效应的电光显示元件具有垂面边缘配向(VA技术＝垂直配向，或者还有VAN＝垂直配向向列型)。介电负性液晶介质也可用于使用所谓的IPS(平面内切换型)效应的显示器。

此效应在电光显示元件中的工业应用需要必须满足多种多样的要求的LC相。此处尤其重要的是对湿气、空气和物理影响(诸如热、红外、可见和紫外区域中的辐射以及直流电场和交流电场)的耐化学性。

此外，需要可工业使用的LC相具有在合适的温度范围中的液晶中间相和低粘度。

迄今已公开的具有液晶中间相的系列化合物均不包括满足所有这些要求的单一化合物。因此，一般制备2至25、优选3至18种化合物的混合物，以便获得可用作LC相的物质。

矩阵液晶显示器(MLC显示器)是已知的。可用于个别像素的个别切换的非线性元件为例如有源元件(即，晶体管)。于是使用术语“有源矩阵”，其中一般而言，使用薄膜晶体管(TFT)，其通常配置于作为基板的玻璃板上。

在两种技术之间作出区别：包含化合物半导体(诸如CdSe)的TFT或基于多晶和尤其非晶硅的TFT。后一种技术当前在世界范围内具有最大商业重要性。

TFT矩阵应用于显示器一个玻璃板的内侧，同时另一个玻璃板于其内侧携带透明反电极。与像素电极的尺寸相比，TFT非常小并且几乎对图像无不利影响。该技术也可扩展至全色功能显示器，其中红、绿和蓝色滤光器的镶嵌块(mosaic)以如此方式设置以致滤光器元件以相对于每个可切换像素设置。

迄今使用最多的TFT显示器在透射方面通常用交叉偏振器操作且为背光型。对于TV应用，使用IPS盒或ECB(或VAN)盒，然而监视器通常使用IPS盒或TN(扭曲向列)盒，且笔记本电脑、膝上型计算机和移动应用通常使用TN盒。