[发明专利]一种陶瓷材料的疏水表面的制备方法在审
| 申请号： | 201810089677.5 | 申请日： | 2018-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN108440021A | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 李洪;闫鹏;高鑫;李鑫钢 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C04B41/89 | 分类号： | C04B41/89 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 王丽 |
| 地址： | 300350 天津市津南区海*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 陶瓷材料 制备 三氯硅烷 浸涂 疏水表面 水表 放入 老化 氨水 溶胶制备过程 硅烷化反应 抗冲击性能 耐酸碱性能 正硅酸乙酯 表面性能 热稳定性 溶胶溶液 涂层凝胶 乙醇溶液 超疏水 偶联剂 溶剂 提拉 下放 配置 | ||
1.一种陶瓷材料的疏水表面的制备方法，其特征是包括如下步骤：
(1)SiO2溶胶制备过程
在乙醇溶液中，添加氨水和正硅酸乙酯，反应制备SiO2溶胶；老化时间12-48小时；其中：氨水:正硅酸乙酯:乙醇体积比为2～4：1.5～5：50；
(2)浸涂过程
将陶瓷材料放入SiO2溶胶中进行浸涂和提拉；涂层凝胶化后20-100℃下放置1-5h；
(3)硅烷化反应过程
偶联剂选用三氯硅烷；加入溶剂，配置成浓度为2-10mmol/L的三氯硅烷溶液；将浸涂后的陶瓷材料放入三氯硅烷溶液进行反应，之后将陶瓷材料进行干燥老化1-24h，温度范围为50-150℃。
2.如权利要求1所述的方法，其特征是所述的陶瓷材料主要包括有：氧化铝、氧化锆、二氧化硅的氧化物陶瓷材料；氮化硅的氮化物陶瓷或碳化硅的碳化物陶瓷。
3.如权利要求1所述的方法，其特征是所述步骤(1)中反应温度15-50℃。
4.如权利要求1所述的方法，其特征是所述步骤(1)中反应时间1-5小时。
5.如权利要求1所述的方法，其特征是所述步骤(2)中每次浸涂时间5-60s。
6.如权利要求1所述的方法，其特征是所述步骤(2)中提拉速度1-5mm/s。
7.如权利要求1所述的方法，其特征是所述步骤(3)中三氯硅烷的碳链长度8-20。
8.如权利要求1所述的方法，其特征是所述步骤(3)中反应温度10-50℃。
9.如权利要求1所述的方法，其特征是所述步骤(3)中反应时间1-5h。
10.如权利要求1所述的方法，其特征是所述步骤(3)中，溶剂选择为正己烷、环己烷、正庚烷、环庚烷、苯或甲苯的单一溶剂或其混合溶剂。
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