[发明专利]触控面板以及触控装置

说明书

触控面板包含下基板、负阻抗调整层以及上基板。下基板包含第一基板、第一感测层以及第一黏着层。第一感测层位于第一基板上，而第一黏着层位于第一感测层上。负阻抗调整层位于第一黏着层上。上基板包含第二基板以及第二感测层，其中第二基板位于负阻抗调整层上，而第二感测层位于第二基板上。本揭露提供的触控面板可以降低不同温度下互容电容的变异值。另外，本揭露提供的触控装置可以改善温度改变对于感测准确度的影响。

技术领域

本发明系关于触控面板，更具体关于电容式触控面板。

背景技术

由于习知的触控面板与触控装置的电性特性会随着温度变化而产生变化，故会发生感测触控的坐标随着温度变化的现象。在温差较大的环境下，触控装置的材料的介电常数容易因温度而改变。由于介电常数改变，使电容式触控装置的电容并不恒定，会随温度而变化，导致感测的触控位置与实际的触控位置偏差过大的情况。

此种情形导致使用者操作上的不便，因此需要一种解决方案改善上述问题。

发明内容

本揭露之一态样，系提供一种触控面板，包含下基板、负阻抗调整层以及上基板。下基板包含第一基板、第一感测层以及第一黏着层。第一感测层位于第一基板上，第一黏着层位于第一感测层上。负阻抗调整层位于第一黏着层上。上基板包含第二基板以及第二感测层。第二基板位于负阻抗调整层上，第二感测层位于第二基板上。

根据本揭露一或多个实施方式，负阻抗调整层更包含第三黏着层以及第三基板，其中第三黏着层位于第三基板之上。

根据本揭露一或多个实施方式，其中负阻抗调整层的厚度为10μm-200μm。

根据本揭露一或多个实施方式，负阻抗调整层更包含一材料，此材料的介电常数系为负温度系数(negative temperature coefficient,NTC)。

本揭露之一态样，系提供一种触控装置，包含触控面板、讯号调整元件以及驱动晶片。触控面板配置以输出第一讯号。讯号调整元件配置以调整由触控面板输出的第一讯号。驱动晶片配置为接收调整后的第一讯号。

根据本揭露一或多个实施方式，其中讯号调整元件的阻值系为负温度系数。

根据本揭露一或多个实施方式，其中讯号调整元件包含热敏电阻。

本揭露之一态样，系提供一种触控装置，包含触控面板、温度感测元件以及驱动晶片。触控面板配置以输出第一讯号。温度感测元件配置为随温度变化输出第二讯号。驱动晶片配置为接收第一讯号及第二讯号，并依照校正规则基于第二讯号校正第一讯号以驱动触控面板。

根据本揭露一或多个实施方式，其中校正规则为基于不同的第二讯号将第一讯号加上不同的偏移值。

根据本揭露一或多个实施方式，其中校正规则为基于不同的第二讯号将第一讯号乘以不同的增益值。

本揭露提供一种可以降低不同温度下互容电容的变异值的触控面板。本揭露亦提供一种可以改善温度改变对于感测准确度影响的触控装置。

附图说明

为让本揭露之上述和其他目的、特征、优点与实施方式能更明显易懂，所附图式之详细说明如下:

图1绘示习知触控面板的剖面图；

图2绘示根据本揭露的一实施例的触控面板的剖面图；

图3绘示根据本揭露的一实施例的触控面板的剖面图；

图4绘示根据本揭露的一实施例的触控装置的示意图；

图5绘示根据本揭露的一实施例的触控装置的示意图。

附图标记：

100、200、300、420、520：触控面板